具有 C—15型结构的 V_2HfxZr_1-x 化合物,给出一个高稳定的临界磁场,在4.2K 上和 x>0.3时,超过200KOe。组分为 V_2Hf_(0.5)Zr_(0.5)的最高转变温度可达10.1K,临界磁场可达230KOe。这种材料在4.2K 上和130KOe 的磁场上,临界电流密度为1×10~5A/Cm~2,这有利于在高磁上的实际应用。
孙洪志.一种新的高磁场超导体[J].稀有金属材料与工程,1972,(5).[.[J]. Rare Metal Materials and Engineering,1972,(5).]DOI：[doi]