过去,许多 A15超导体交流损耗的研究都是在场强最大为几千高斯的磁场下进行的,因为人们对 A15超导体在能量传送线方面的应用更感兴趣。在这里超导体只暴露于传导电流的自场中。扩散技术是制造 A15多芯超导体的一种方法,人们对于它们在场强大于10万高斯的磁场中,并且在有磁场随时间变化的分量存在情况下的应用,特别感兴趣。本报导将提到在托卡马克核聚变磁体中,Nb_3Sn 或 V_3Ga 优于 NbTi 材料。这首先表现在它们具有较高的 Tc(H)值,即有较高的防止热扰动的稳定性。而且,希望扩散反应的方法能够导致突
K. Kwasnitza, D. Salathe, D. G. Howe, D. U. Gubser,麻文明. V_3Ga 和 Nb_3Sn 多芯超导体的脉冲磁场损耗和临界电流密度[J].稀有金属材料与工程,1980,(6).[.[J]. Rare Metal Materials and Engineering,1980,(6).]DOI：[doi]