专利申请范围:在烧结掺杂钨粉末压坯时,于1500～1800℃或2150～2450℃温度区域至少保温一次以后,在2450℃以上温度下进行最终烧结。详细说明:本发明是关于含有 Al、Si、K 等的所谓掺杂钨的烧结方法的改进。以前,掺杂钨的烧结是在压结密度为9.5～10.5克/厘米~3的粉末压坯上通电加热,在2700℃以上温度保温1～2次,得到烧结密度在17.0克/厘米~3(钨的真比重为19.3)以上的烧结体。可是,因为没有充分
山崎修,徐金璋.掺杂钨的烧结方法[J].稀有金属材料与工程,1980,(6).[.[J]. Rare Metal Materials and Engineering,1980,(6).]DOI：[doi]