TM561.23
本文采用真空熔炼及定向凝固工艺研制了Cu-Te-Se系真空断路器触头材料,研究了化学成分和触头直径对开断能力的影响,讨论了影响Cu-Te-Se合金开断能力的其它因素。并从Boxman的多阴极斑点模型出发,建立了化学成分与临界电流密度之间的关系。计算结果表明,在电流密度均匀分布的情况下,铜的临界电流密度为3×10~7A/m~2。最后通过扫描电镜分析了大电流燃弧后触头表面的烧蚀形貌特征。
姚强 丁秉钧.真空断路器触头材料Cu—Te—Se的开断能力研究[J].稀有金属材料与工程,1989,(2).[.[J]. Rare Metal Materials and Engineering,1989,(2).]DOI：[doi]