单凤兰,霍艳玲,滕凤恩,王煜明
TG139.6,TG139.6
用Ｘ射线衍射线形的傅里叶分析及电阻法，研究了溅射Ｔｉ－４９．３７ａｔ％Ｎｉ合金薄膜的位错组态及相转变温度随退火条件的变化规律，以及位错密度与相变温度的关系。研究结果表明：随退火温度升高和保温时间增加，平均位错密度下降，马氏体相变温度升高。位错密度的变化受析出相粒子的大小和分布制约。随位错密度增加，马氏体相变温度下降，Ｒ相变温度基本保持不变。
单凤兰,霍艳玲,滕凤恩,王煜明. TiNi形状记忆合金薄膜的位借与相变[J].稀有金属材料与工程,1998,(4).[. Dislocation and Phase Transformation in Thin Films of the Shape Memory Alloy TiNi[J]. Rare Metal Materials and Engineering,1998,(4).]DOI：[doi]