低维GaN纳米材料的最新研究进展

Synthesis of Low-dimensional Nano-structural GaN

摘要:

氮化镓是宽的直接带隙半导体材料，由于其优异的性能，使之成为制作耐高温，大功率，低能耗电子器件，高速场效应晶体管，高效蓝光发光二极管（LED），激光二极管（LD）和紫外光电导探测器等光电子器件的理想材料，低维GaN纳米材料在基础理论研究和纳米技术应用等方面都具有巨大潜力，因此，近年来低维GaN纳米材料的制备和物性研究已成为热点之一，本文报道了低维GaN纳米材料的最新制备方法的研究进展。

Abstract: