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AlN压电薄膜材料研究进展
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TB43

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教育部骨干教师资助计划项目,山西省青年科技研究基金(20011011)联合资助


The Research Progress of AlN Piezoelectric Thin Films
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    AlN压电薄膜材料具有许多优异的物理化学性质,本文对该薄膜材料的发展,结构特征,制备方法进行了综述,并对其应用前景进行了展望。

    Abstract:

    AlN piezoelectric film has a lot of excellent physical chemistry properties.This discussion focus on the str uctural characters,pre-pared methods and applied prospect o f AlN piezoelectric films.

    参考文献
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    引证文献
引用本文

许小红 武海顺 等. AlN压电薄膜材料研究进展[J].稀有金属材料与工程,2002,(6):456~459.[Xu Xiaohong, Wu Haishun, Zhang Fuqiang, Duan Jingfang, Li Zuoyi . The Research Progress of AlN Piezoelectric Thin Films[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2002,(6):456~459.]
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  • 最后修改日期:2001-07-06
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