+高级检索
高传输临界电流密度MgB_2超导带制备方法
DOI:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TM26

基金项目:


Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    有关薄膜的研究报道指出,MgB2薄膜在磁场下具有较高的Hc2和Jc值。过去有关薄膜的研究虽然不少,但都是使用陶瓷基底。最近日本材料科学研究所超导材料中心用气相沉积法在可弯曲的金属基带上制备了具有高临界电流密度的MgB2超导带。实验中用尺寸为4mm×30mm×0.3mm的Hastelloy(C-276)为基底,用偏置溅射技术先涂敷1层1μm厚的YSZ,然后再用脉冲激光技术沉积MgB2薄膜。沉积MgB2薄膜时,用KrF激光器,每脉冲400mJ,5Hz下运行。将MgB2粉和Mg粉(纯度99.9%)混合压片制作了富镁的靶。Mg与B的摩尔比为1…

    Abstract:

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

刘春芳.高传输临界电流密度MgB_2超导带制备方法[J].稀有金属材料与工程,2003,(3).[.[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2003,(3).]
DOI:[doi]

复制
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期: