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CVD Al2O3-SiO2系氧化物及其机理分析
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TQ174.1

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航空基础科学基金项目(99G53081)


CVD Al2O3-SiO2 Compound and the Mechanism Investigation
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    研究了AlCl3-SiCl4-H2-CO2气相系统不同温度化学气相沉积Al2O3-SiO2系氧化物相组成及显微结构,分析了化学气相沉积过程机理。结果表明,CVD过程不能实现Al-Si化合物的均匀混合,不同温度沉积产物为不同变体Al2O3结合非晶SiO2或其固溶体复合氧化物,1050℃以下,随沉积温度提高,沉积物颗粒尺寸减小,1050℃可沉积出晶化较为完全的莫来石结合α—Al2O3,t—Al2O3和非晶SiO2致密涂层。

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引用本文

陈照峰,张立同,成来飞,徐永东,金志浩. CVD Al2O3-SiO2系氧化物及其机理分析[J].稀有金属材料与工程,2004,33(6):609~611.[Chen Zhaofeng, Zhang Litong, Cheng Laifei, Xu Yongdong, Jin Zhihao. CVD Al2O3-SiO2 Compound and the Mechanism Investigation[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2004,33(6):609~611.]
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  • 最后修改日期:2002-12-04
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