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氨化合成一维GaN纳米线
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中图分类号:

TN304

基金项目:

国家自然科学基金重大研究计划(90201025),国家自然科学基金(60071006)资助项目


Synthesis of One-Dimensional GaN Nanowires by Ammoniating
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    用氨化溅射Ga2O3薄膜的方法,成功地合成了一维GaN纳米线。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和高分辨电镜(HRTEM)对样品进行了分析。生成的GaN纳米线平直光滑,其直径为20nm~90nm,长可达50μm;纳米线为高质量的单晶六方纤锌矿GaN,沿[110]方向生长。用此工艺制备GaN纳米线,避免了在制备过程中引入杂质,合成的纳米线纯度较高。

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引用本文

王显明 杨利 王翠梅 薛成山.氨化合成一维GaN纳米线[J].稀有金属材料与工程,2004,33(6):670~672.[Wang Xianming, Yang Li, Wang Cuimei, Xue Chengshan. Synthesis of One-Dimensional GaN Nanowires by Ammoniating[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2004,33(6):670~672.]
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  • 最后修改日期:2002-12-10
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