MOCVD Ir薄膜的制备与沉积效果分析
作者:
中图分类号:
TG146.4
基金项目:
国家高技术研究发展计划(863计划)项目(2002AA305306)
Preparation of Iridium Films by MOCVD and Deposition Effectiveness Analysis
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摘要:
在不通入活性气体的条件下，采用三乙酰丙酮铱金属有机物化学气相沉积方法制备铱薄膜。结果表明：低于190℃长时间加热使先驱体分子结构改变，其C-H和C-O键断裂活性升高，导致沉积薄膜中含有显著数量的碳杂质；高于220℃加热先驱体和550℃沉积，可获得致密连续、无杂质碳并且呈亮银白色的铱薄膜。
引用本文
华云峰,陈照峰,张立同,成来飞. MOCVD Ir薄膜的制备与沉积效果分析[J].稀有金属材料与工程,2005,34(1):139~142.[Hua Yunfeng, Chen Zhaofeng, Zhang Litong, Cheng Laifei. Preparation of Iridium Films by MOCVD and Deposition Effectiveness Analysis[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(1):139~142.]
DOI：[doi]
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- 最后修改日期:2003-05-16