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首页 > 过刊浏览>2005年第34卷第2期 >259-262
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Cu-Zr／ZrN薄膜体系的电阻率和纳米压入研究
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TG111.6 TG146.1

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国家自然科学基金重点项目(59931010)


Characterization of the Resistivity and Nanoindentation Hardness of Cu-Zr/ZrN Films
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    采用磁控溅射方法在Si(111)基片上沉积Cu-Zr／ZrN薄膜体系作为扩散阻挡层。通过比较Cu-Zr／ZrN薄膜体系和三元非晶(Mo，Ta，W)-Si-N的电阻率，同时比较Cu-Zr／ZrN薄膜体系和Ta，TaN的硬度，说明作为扩散阻挡层的材料的选取，应从整体性能上考虑，而不能仅仅考虑热稳定性等单一指标。

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引用本文

白宣羽 汪渊 徐可为. Cu-Zr／ZrN薄膜体系的电阻率和纳米压入研究[J].稀有金属材料与工程,2005,34(2):259~262.[Bai Xuanyu, Wang Yuan, Xu Kewei. Characterization of the Resistivity and Nanoindentation Hardness of Cu-Zr/ZrN Films[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(2):259~262.]
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  • 最后修改日期:2003-11-26
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