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Ga近硅表面连续低浓度分布特性分析
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TN305.4

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国家自然科学基金(69976019)资助项目


Analysis of Continuous Low Concentration Distribution of Ga Impurity at Nearby Si Surface
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    摘要:

    为进一步揭示Ga在SiO2/Si系统下的完整扩散特性和分布行为,利用扩展电阻(SRP)分析方法,对恒定源、限定源,二次氧化(指磷扩散的再分布过程)不同温度和气氛,Ga在近硅表面微区域浓度连续性变化状态进行了系统研究。结果表明,恒定源掺杂过程有Ga的低浓度区形成;限定源再分布过程Ga出现反扩散特性:二次氧化过程Ga产生异常分凝特性。上述分布行为的综合效果,导致近硅表面Ga的浓度处于耗尽状态。对Ga的表面耗尽,可通过适当的工艺方法给予补偿,因此Ga基区晶体管的电学性能仍然优于同类产品。

    Abstract:

    In order to further reveal the whole diffusion characters and distribution behaviors of Ga impurity in SiO2/Si system, the changeable concentration laws of Ga impurity at puny region of the nearby Si surface, under different temperatures and different atmosphere in invariable resource diffusion, finite resource diffusion and re-oxygenation process are investigated by SRP. The results are as follows: the low concentration region forms in invariable resource diffusion process; the reversed diffusion character happens in finite resource diffusion process; the exceptional segregation comes into being in re-oxygenation process.

    参考文献
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    引证文献
引用本文

裴素华 修显武 孙海波 黄萍 于连英. Ga近硅表面连续低浓度分布特性分析[J].稀有金属材料与工程,2005,34(4):565~568.[Pei Suhua, Xiu Xianwu, Sun Haibo, Huang Ping, Yu Lianying. Analysis of Continuous Low Concentration Distribution of Ga Impurity at Nearby Si Surface[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(4):565~568.]
DOI:[doi]

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  • 最后修改日期:2003-08-11
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