真空退火对溅射淀积ZnO：Ga透明导电膜性能的影响

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真空退火对溅射淀积ZnO：Ga透明导电膜性能的影响
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中图分类号:TN304.2 TN304.055
基金项目:教育部科学技术研究重点项目(02165)，博士点基金资助项目(20020422056)

Influence of Vacuum Annealing on Properties of ZnO:Ga Films Prepared by r.f. Magnetron Sputtering

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采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了真空退火对薄膜结构、电学和光学特性的影响。结果表明:真空退火后,薄膜结构得到明显改善,电阻率由退火前的1.13×10-3?·cm下降到5.4×10-4?·cm,在可见光区的平均透过率也由未退火前的83%提高到退火后的90%以上。

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马瑾,余旭浒,计峰,王玉恒,张锡健,程传福,马洪磊.真空退火对溅射淀积ZnO：Ga透明导电膜性能的影响[J].稀有金属材料与工程,2005,34(7):1166~1168.[Ma Jin, Yu Xuhu, Ji Feng, Wang Yuheng, Zhang Xijian, Cheng Chuanfu, Ma Honglei. Influence of Vacuum Annealing on Properties of ZnO:Ga Films Prepared by r. f. Magnetron Sputtering[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(7):1166~1168.]
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最后修改日期:2004-10-09
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