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胶体法制备透明导电ITO薄膜
中图分类号:

TB321

基金项目:

国家高技术研究“863”基金资助项目(2004AA303542)


Transparent Conductive ITO Thin Films Prepared by Colloid Method
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    摘要:

    以锡盐和金属铟为原料采用胶体法制备ITO前驱物浆料,通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜。用TEM测定ITO前驱物浆料颗粒大小;用XRD、SEM、AES分别对ITO薄膜的结构和表面形貌进行表征;用分光光度计和四探针电阻仪检测ITO薄膜光电性能。结果表明:ITO前驱物浆料的颗粒粒径为2nm~15nm,具有较好的分散性和稳定性:ITO薄膜厚度越大,方电阻越小,平均透过率下降;ITO薄膜在波长为360nm~800nm区的透过率随膜厚增加有不同的影响;退火温度越高,膜方电阻越低;当膜厚为300nm、退火温度600℃时,膜方电阻达到2581Ω/n,其透过率在波长550nm处达到89.6%,且薄膜表面平整。

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

刘家祥 甘勇 朴圣洁.胶体法制备透明导电ITO薄膜[J].稀有金属材料与工程,2005,34(7):1169~1172.[Liu Jiaxiang, Gan Yong, Piao Shengjie. Transparent Conductive ITO Thin Films Prepared by Colloid Method[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(7):1169~1172.]
DOI:[doi]

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  • 最后修改日期:2005-04-14