TB321
国家高技术研究“863”基金资助项目(2004AA303542)
以锡盐和金属铟为原料采用胶体法制备ITO前驱物浆料，通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜。用TEM测定ITO前驱物浆料颗粒大小；用XRD、SEM、AES分别对ITO薄膜的结构和表面形貌进行表征；用分光光度计和四探针电阻仪检测ITO薄膜光电性能。结果表明：ITO前驱物浆料的颗粒粒径为2nm～15nm，具有较好的分散性和稳定性：ITO薄膜厚度越大，方电阻越小，平均透过率下降；ITO薄膜在波长为360nm～800nm区的透过率随膜厚增加有不同的影响；退火温度越高，膜方电阻越低；当膜厚为300nm、退火温度600℃时，膜方电阻达到2581Ω／n，其透过率在波长550nm处达到89．6％，且薄膜表面平整。
刘家祥 甘勇 朴圣洁.胶体法制备透明导电ITO薄膜[J].稀有金属材料与工程,2005,34(7):1169~1172.[Liu Jiaxiang, Gan Yong, Piao Shengjie. Transparent Conductive ITO Thin Films Prepared by Colloid Method[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(7):1169~1172.]DOI：[doi]