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二硅化钼涂层对碳化硅电热元件高温抗氧化性能的影响
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TQ174.5

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Supported by National Nature Science Foundation of China (No. E0224113)


Molybdenum Disilicide Oxidation Protective Coating for Silicon Carbide Heating Element at High-Temperature Condition
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    采用MoSi2粉末自烧结方法,在SiC电热元件表面制备一层致密的MoSi2高温抗氧化涂层,并对其高温抗氧化性进行测试。抗氧化试验在空气中1500℃炉温下进行118h和32次热循环,结果表明,带有MoSi2涂层的试样表面致密光洁,且试样抗氧化性能随MoSi2涂层厚度增加。SEM和EPMA显微分析表明,MoSi2涂层与SiC基体结合较好,没有起层和剥落,涂层中Mo分布均匀,损失约为20%。

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引用本文

苏向东 林蓉 郝维昌 王天民.二硅化钼涂层对碳化硅电热元件高温抗氧化性能的影响[J].稀有金属材料与工程,2006,35(1):123~126.[Su Xiangdong, Lin Rong, Hao Weichang, Wang Tianmin. Molybdenum Disilicide Oxidation Protective Coating for Silicon Carbide Heating Element at High-Temperature Condition[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(1):123~126.]
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  • 收稿日期:2004-05-08
  • 最后修改日期:2004-08-31
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