镨掺杂PZT二元系压电陶瓷性能研究
作者:
中图分类号:
TM282
基金项目:
国家自然科学基金重点项目（10232030）,天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室资助（x06050）
Properties of Praseodymium-modified PZT Binary Ceramics
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摘要:
以固态氧化物为原料，采用传统方法制备错掺杂PZT压电陶瓷。通过XPS，XRD以及SEM方法分析组成为Pb1-1．5xPbZr0．54Ti0．46O3（x=0．02～0．08）压电陶瓷的元素价态，相组成以及显微结构。结果发现：合成温度900℃，可以得到钙钛矿结构。在镨掺杂为3mol％的准同型相界附近三方相和四方相并存，综合性能达最佳值：E33^T／ε0=2000，d33=418pC/N，Kp=52．9％，Qm=75。随着镨掺杂量的增加，Pr-PZT陶瓷的居里温度降低。
引用本文
陆翠敏 孙清池 徐明霞 王俐聪.镨掺杂PZT二元系压电陶瓷性能研究[J].稀有金属材料与工程,2006,35(1):131~133.[Lu Cuimin, Sun Qingehi, Xu Mingxia, Wang Lieong. Properties of Praseodymium-modified PZT Binary Ceramics[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(1):131~133.]
DOI：[doi]
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历史
- 收稿日期:2004-09-16
- 最后修改日期:2005-03-09