聚硅氧烷连接RBSiC陶瓷

Joining of Reaction-Bonded Silicon Carbide Using a Polysiloxane

摘要:

采用陶瓷先驱体有机聚合物聚硅氧烷连接反应烧结碳化硅（RBSiC）陶瓷。研究了连接温度、连接压力、保温时间对连接强度的影响。通过正交优选实验，确定了最佳工艺参数：连接温度为1300℃，连接压力为25kPa，保温时间为120min。在此工艺条件下制备的连接件经3次浸渍／裂解增强处理，其抗弯强度达132．6MPa，连接件断口表面粘有大量从母材剥离下来的SiC。XRD研究表明，在1100℃～1400℃的试验范围之内，随着连接温度的逐步升高，聚硅氧烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变。这种转变对连接强度有显著影响。扫描电镜（SEM）及能谱（EDX）分析显示，连接层厚度为3μm左右，结构较为均匀致密，且与母材间界面结合良好。

Abstract: