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Sb2O3掺杂(Na0.84K0.16)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷的压电与介电性能研究
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TM223

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国家自然科学基金(50272044);日本NSG基金;湖北省自然科学基金资助项目(2002AB076)


Piezoelectric and Dielectric Properties of Sb2O3 Doped (Na0.84K0.16)0.5Bi0.5TiO3 Lead-Free Ceramics
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    采用传统陶瓷的制备方法,制备出Sb2O3掺杂的(Na0.84K0.16)0.5Bi0.5TiO3的无铅压电陶瓷。XRD分析表明,Sb2O3的掺杂量在0.1%~0.6%(质量分数)范围内都能够形成纯钙钛矿(ABO3)型固溶体。陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示陶瓷在升温过程中存在两个介电常数温度峰,结合不同温度下的电滞回线观测,认为两个介电峰分别是材料的铁电-反铁电和反铁电-顺电相变,宽化的介电峰同时也表明所研究陶瓷具有驰豫铁电体特征。测试了不同组成陶瓷的压电性能,在Sb2O3掺杂量为0.1%时陶瓷的压电常数d33=124pC/N,为所研究组成中的最大值,平面机电耦合系数kp=24.87%,略有下降,材料的介电常数ε33^T/ε0和介质损耗tanδ则随掺杂量的增加而增加。

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引用本文

李月明 陈文 徐庆 周静 顾幸勇. Sb2O3掺杂(Na0.84K0.16)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷的压电与介电性能研究[J].稀有金属材料与工程,2006,35(2):273~276.[Li Yueming, Chen Wen, Xu Qing, Zhou Jing, Gu Xingyong. Piezoelectric and Dielectric Properties of Sb2O3 Doped (Na0.84K0.16)0.5Bi0.5TiO3 Lead-Free Ceramics[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(2):273~276.]
DOI:[doi]

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  • 收稿日期:2004-10-23
  • 最后修改日期:2005-01-26
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