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首页 > 过刊浏览>2006年第35卷第4期 >546-549
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MOCVD制备的Pt/C薄膜的结构与性能研究
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中图分类号:

TB383.2

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国家自然科学基金(50171031)，云南省人才培引计划(2003PY10)，云南省自然科学基金(2004E0064M)


Structure and Properties of Pt/C Films Prepared by MOCVD
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    以乙酰丙酮铂为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)法在石英及YSZ基体上制备Pt/C薄膜,研究了Pt/C薄膜的结构和电化学性能。沉积过程中通入一定量的氧气可以大幅降低Pt/C薄膜中的含C量,含C较高的Pt/C薄膜的XRD谱线低而宽,具有非晶态衍射特征。在500℃测量温度下,以Pt/C薄膜为电极的YSZ氧气浓差电池的电动势及电流输出高于传统的Pt电极。

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引用本文

胡昌义,戴姣燕,方颖,欧阳远良,闫革新,刘伟平,程勇. MOCVD制备的Pt/C薄膜的结构与性能研究[J].稀有金属材料与工程,2006,35(4):546~549.[Hu Changyi, Dai Jiaoyan, Fang Ying, Oyang Yuanliang, Yan Gexin, Liu Weiping, Cheng Yong. Structure and Properties of Pt/C Films Prepared by MOCVD[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(4):546~549.]
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  • 最后修改日期:2005-01-04
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