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衬底温度对PLD方法生长Si(111)基ZnO薄膜结晶质量和发光特性的影响
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TN304.21 O484.1

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国家自然科学基金资助(90301002;90201025)


Effects of Substrate Temperatures on the Quality and Optical Properties of ZnO Thin Films Grown on Silicon (111) by P LD
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    摘要:

    在不同衬底温度下用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)衬底上生长ZnO薄膜.通过对薄膜进行的X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)、光致发光谱(PL)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)的测量,研究了衬底温度对PLD方法制备的ZnO薄膜的结晶质量、发光性质以及微观结构的影响.发现在600℃的衬底温度下可以得到结晶质量最佳的ZnO薄膜.随着晶粒直径的减小,出现量子限制效应,在红外吸收和光致发光中的峰位均产生了蓝移.

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引用本文

庄惠照 何建廷 薛成山 张晓凯 田德恒 胡丽君 薛守斌.衬底温度对PLD方法生长Si(111)基ZnO薄膜结晶质量和发光特性的影响[J].稀有金属材料与工程,2006,35(7):1105~1108.[Zhuang Huizhao, He Jianting, Xue Chengshan, Zhang Xiaokai, Tian Deheng, Hu Lijun, Xue Shoubin. Effects of Substrate Temperatures on the Quality and Optical Properties of ZnO Thin Films Grown on Silicon (111) by P LD[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(7):1105~1108.]
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  • 收稿日期:2005-05-17
  • 最后修改日期:2005-09-28
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