一种新的β二酮铱MOCVD前驱体的制备及成膜性能
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中图分类号:
TG146.3
基金项目:
航空基础科学基金资助（00G53066）
A New Precursor for Metal Organic Chemical Vapor Deposition of Iridium Thin Films
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摘要:
从铱盐和配体2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮（thd）出发合成了一种新的β二酮前驱体Ir（thd）3,通过元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱等手段对合成的前驱体进行了结构表征.热重分析表明,当温度升到290℃,前驱体基本挥发完全.使用合成的前驱体通过MOCVD沉积制备铱薄膜,利用XRD和AFM分析手段对薄膜的结构和表面形貌进行了表征.结果表明,所得到的薄膜的物相为铱晶相,无其它的杂质峰存在,薄膜表面连续、致密.
关键词:前驱体 铱薄膜 MOCVD
引用本文
阎鑫 张秋禹 范晓东.一种新的β二酮铱MOCVD前驱体的制备及成膜性能[J].稀有金属材料与工程,2006,35(7):1129~1131.[Yan Xin, Zhang Qiuyu, Fan Xiaodong. A New Precursor for Metal Organic Chemical Vapor Deposition of Iridium Thin Films[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(7):1129~1131.]
DOI：[doi]
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- 收稿日期:2005-04-30
- 最后修改日期:2005-04-30