一种新的β二酮铱MOCVD前驱体的制备及成膜性能

A New Precursor for Metal Organic Chemical Vapor Deposition of Iridium Thin Films

摘要:

从铱盐和配体2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮（thd）出发合成了一种新的β二酮前驱体Ir（thd）3,通过元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱等手段对合成的前驱体进行了结构表征.热重分析表明,当温度升到290℃,前驱体基本挥发完全.使用合成的前驱体通过MOCVD沉积制备铱薄膜,利用XRD和AFM分析手段对薄膜的结构和表面形貌进行了表征.结果表明,所得到的薄膜的物相为铱晶相,无其它的杂质峰存在,薄膜表面连续、致密.

Abstract: