Ga^3＋掺杂对纳米氧化锌粉体导电性能的影响
作者:
中图分类号:
TQ132.4
基金项目:
国家自然基金资助创新群体项目（20221603）
Effect of Ga3+ Doping on the Electrical Conductivity of Nano-Sized Zinc Oxide Powders
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摘要:
采用液相共沉淀方法,以ZnSO4·7H2O为原料,GaCl3为掺杂化合物,NH4HCO3为沉淀剂合成碱式碳酸锌前驱体,通过在H2气氛下煅烧,制得Ga3+均匀掺杂的纳米氧化锌导电粉体.利用SEM,TEM,XRD,XPS和BET等分析手段对粉体的性能进行表征.结果表明,这种方法合成的导电氧化锌粉体材料颗粒尺寸较小、粒度分布均匀(约在20 nm～40 nm的范围内),颗粒呈类球状形貌,具有较好的分散性能.研究了Ga3+掺杂对氧化锌粉体导电性能的影响.结果表明,在Ga3+掺杂量为2.2mol%时,制得的氧化锌粉体的导电性能最好,体积电阻率达到2.0Ω·cm.
引用本文
杜尚丰 高卫民 刘建 陈运法 梁云. Ga^3＋掺杂对纳米氧化锌粉体导电性能的影响[J].稀有金属材料与工程,2006,35(7):1139~1142.[Du Shangfeng, Gao Weimin, Liu Jian, Chen Yunfa, Liang Yun. Effect of Ga3+ Doping on the Electrical Conductivity of Nano-Sized Zinc Oxide Powders[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(7):1139~1142.]
DOI：[doi]
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- 收稿日期:2005-04-28
- 最后修改日期:2006-03-01