WSi2的价电子结构及其性能研究

Study on the Valence Electronic Structure and Properties of WSi2 Phases

摘要:

根据固体与分子经验电子理论，通过键距差（BLD）方法，计算了金属间化合物WSi2的价电子结构和理论结合能。结果表明，WSi2理论结合能为1859．5kJ／mol，与实验值吻合。WSi2晶体中，沿〈331〉位向分布的W—Si键的键能最大，EA=33．397kJ／mol，且有32个等同键数，是晶体熔化时必须破坏的主干键络，因而WSi2具有高熔点。WSi2晶体中含有较高密度的晶格电子，使WSi2具有良好的导电性。WSi2晶体中键络分布不均匀性是导致晶体脆性的主要原因。

Abstract: