WSi2的价电子结构及其性能研究
作者:
中图分类号:
TG148
基金项目:
国家自然科学基金资助项目（50472078）：教育部博士点基金资助项目（20040533006）
Study on the Valence Electronic Structure and Properties of WSi2 Phases
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摘要:
根据固体与分子经验电子理论，通过键距差（BLD）方法，计算了金属间化合物WSi2的价电子结构和理论结合能。结果表明，WSi2理论结合能为1859．5kJ／mol，与实验值吻合。WSi2晶体中，沿〈331〉位向分布的W—Si键的键能最大，EA=33．397kJ／mol，且有32个等同键数，是晶体熔化时必须破坏的主干键络，因而WSi2具有高熔点。WSi2晶体中含有较高密度的晶格电子，使WSi2具有良好的导电性。WSi2晶体中键络分布不均匀性是导致晶体脆性的主要原因。
引用本文
彭可 易茂中 冉丽萍. WSi2的价电子结构及其性能研究[J].稀有金属材料与工程,2007,36(10):1754~1758.[Peng Ke, Yi Maozhong, Ran Liping. Study on the Valence Electronic Structure and Properties of WSi2 Phases[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(10):1754~1758.]
DOI：[doi]
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- 最后修改日期:2006-09-10