TN304.055
国家自然科学基金（50272019）及国家高技术研究发展计划（“863”计划）项目资助（2003AA305860）
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研究了用分子束外延（MBE）在GaAs衬底上生长GaSb薄膜的工艺。为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度，采用低温GaSb作为缓冲层，有效降低了外延层中的位错密度，提高了晶体质量。通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜测试分析，得到低温GaSb缓冲层的优化生长参数：厚度为20nm，生长速率为1．43μm／h，Ⅴ／Ⅲ束流比为2．0。并在此基础上研究了GaSb薄膜的发光特性：GaSb薄膜的光致发光光谱主要由束缚激子（BE4）和施主-受主对（D-A）辐射复合发光峰组成，在50K时其发光峰强度最强，半峰宽最窄。
引用本文
熊丽 李美成 邱永鑫 张保顺 李林 刘国军 赵连城. GaAs基GaSb薄膜的分子束外延生长与发光特性[J].稀有金属材料与工程,2007,36(2):339~343.[Xiong Li, Li Meicheng, Qiu Yongxin, Zhang Baoshun, Li Lin, Liu Guojun, Zhao Liancheng, Weihai, China;. Harbin Institute of Technology, Harbin, China;. Changchun University of Science, Technology, Changchun, China). MBE Growth and Luminescence Property of GaSb Thin Film Based on GaAs[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(2):339~343.]
DOI：[doi]
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- 最后修改日期:2005-11-30