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GaAs/AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征
中图分类号:

TN304.2

基金项目:

国家重点基础研究发展计划(“973”计划)(2003CB314903)


GaAs/AlAs DBR Optimized Growth by GSMBE and Its Characterization
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    采用气态源分子束外延(GSMBE)技术优化生长了GaAs/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)材料,并用X射线衍射(XRD)及反射光谱对其生长质量进行了表征。结果表明,采用5S间断生长的GaAs/AlAs DBR材料质量和界面质量优于无间断生长,并且10对GaAs/AlAs DBR的质量优于30对,说明DBR对数越多,周期厚度波动越大,材料质量越差。优化生长得到的30对GaAs/AlAsDBR的反射率大于99%,中心波长为1316nm,与理论设计结构的模拟结果基本一致,可用作1.3μm垂直腔面发射激光器(VVSEL)直接键合的反射腔镜。

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引用本文

谢正生,吴惠桢,劳燕锋,刘成,曹萌. GaAs/AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征[J].稀有金属材料与工程,2007,36(4):587~591.[Xie Zhengsheng, Wu Huizhen, Lao Yanfeng, Liu Cheng, Cao Meng. GaAs/AlAs DBR Optimized Growth by GSMBE and Its Characterization[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(4):587~591.]
DOI:[doi]

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  • 最后修改日期:2006-08-16