GaAs／AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征

GaAs/AlAs DBR Optimized Growth by GSMBE and Its Characterization

摘要:

采用气态源分子束外延（GSMBE）技术优化生长了GaAs／AlAs分布布拉格反射镜（DBR）材料，并用X射线衍射（XRD）及反射光谱对其生长质量进行了表征。结果表明，采用5S间断生长的GaAs／AlAs DBR材料质量和界面质量优于无间断生长，并且10对GaAs／AlAs DBR的质量优于30对，说明DBR对数越多，周期厚度波动越大，材料质量越差。优化生长得到的30对GaAs／AlAsDBR的反射率大于99％，中心波长为1316nm，与理论设计结构的模拟结果基本一致，可用作1．3μm垂直腔面发射激光器（VVSEL）直接键合的反射腔镜。

Abstract: