掺杂锰氧化物La0．85Sr0．015MnO3薄膜的自旋输运特性

Spin Transport Properties of the Thin Film Doped with La0.85Sr0.015MnO3

摘要:

采用磁控溅射方法制备了二价碱土元素微量掺杂锰氧化物La0．85Sr0．015MnO3（LSMO）薄膜。电阻-温度关系表明，薄膜在273K时发生铁磁金属-顺磁半导体相变。在磁场和激光作用下，薄膜呈现出不同的响应特性：在整个测试温度区间内，磁场作用使薄膜电阻变小，在243K时，取得最大磁电阻变化率为21％；激光辐照薄膜在不同的相态显示出不同的变化特性，在铁磁金属态导致电阻增大，而在顺磁半导体态则致使电阻减小。从能带理论的角度定性地分析了产生该现象的原因是外场对eg电子的作用不同。

Abstract: