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掺杂锰氧化物La0.85Sr0.015MnO3薄膜的自旋输运特性
作者:
中图分类号:

TM271 O51

基金项目:

国家自然科学基金重点项(50331040);国家自然科学基金(60171034);西北工业大学博士生创新基金(2003323)


Spin Transport Properties of the Thin Film Doped with La0.85Sr0.015MnO3
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    采用磁控溅射方法制备了二价碱土元素微量掺杂锰氧化物La0.85Sr0.015MnO3(LSMO)薄膜。电阻-温度关系表明,薄膜在273K时发生铁磁金属-顺磁半导体相变。在磁场和激光作用下,薄膜呈现出不同的响应特性:在整个测试温度区间内,磁场作用使薄膜电阻变小,在243K时,取得最大磁电阻变化率为21%;激光辐照薄膜在不同的相态显示出不同的变化特性,在铁磁金属态导致电阻增大,而在顺磁半导体态则致使电阻减小。从能带理论的角度定性地分析了产生该现象的原因是外场对eg电子的作用不同。

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金克新 陈长乐 赵省贵 罗炳成 王建元 陈钊 高国棉 袁孝.掺杂锰氧化物La0.85Sr0.015MnO3薄膜的自旋输运特性[J].稀有金属材料与工程,2007,36(8):1362~1365.[Jin Kexin, Chen Changle, Zhao Shenggui, Luo Bingcheng, Wang Jianyuan, Chen Zhao, Gao Guomian, Yuan Xiao. Spin Transport Properties of the Thin Film Doped with La0.85Sr0.015MnO3[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(8):1362~1365.]
DOI:[doi]

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  • 最后修改日期:2006-07-26