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SPS法制备n-型Ag掺杂四元Ag-Bi-Se-Te 合金及其热电性能
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TN304

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浙江省自然科学基金 , 浙江省宁波市博士学科点专项科研基金


Electrical Properties of n-type Ag-doped Quaternary Ag-Bi-Se-Te Alloys Prepared by Spark Plasma Sintering
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    摘要:

    采用放电等离子烧结(SPS)方法制备Ag掺杂四元Ag-Bi-Se-Te合金,并分析研究其热电性能.结果表明:掺杂Ag后,合金AgxBi(2-x)Se0.3Te2.7(x=0.005~0.04)的Seebeck系数均为负值,说明材料属于n-型半导体;当温度大约在428.0K时,x=0.04合金的Seebeck系数绝对值(|a|)出现最大值,其值为1.80×10-4V·K-1,比三元合金Bi2Se0.3Te2.7的最大值增大约16%;材料电导率随Ag含量的增加而下降.如果采用相同方法制备且成分按(Bi2Te3)0.9-(Bi2-xAgxSe3)0.1(x=0~0.4)设计的材料热扩散系数进行估算,当温度在477.0 K时,合金AgxBi(2-x)Se0.3Te2.7(x=0.04)的ZT值出现最大值,其值为0.75,比典型三元合金Bi2Se0.3Te2.7的最大值增大约0.09.

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引用本文

修伟杰,应鹏展,崔教林,薛海峰. SPS法制备n-型Ag掺杂四元Ag-Bi-Se-Te 合金及其热电性能[J].稀有金属材料与工程,2008,37(2):334~337.[Xiu Weijie, Ying Pengzhan, Cui Jiaolin, Xue Haifeng. Electrical Properties of n-type Ag-doped Quaternary Ag-Bi-Se-Te Alloys Prepared by Spark Plasma Sintering[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2008,37(2):334~337.]
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  • 收稿日期:2007-01-02
  • 最后修改日期:2007-01-02
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