2005年第34卷第9期文章目次
2005, 34(9).
摘要:
通过对钛酸铅陶瓷气相扩渗稀土元素,制备了导电陶瓷材料。通过X射线衍射、电子探针X射线能谱和扫描电镜测试分析,表明稀土元素La,Ce,Gd,Sm等均已渗入到PbTiO3陶瓷体相中,并生成了新的化合物La5O7NO3,La2C2O2,Gd2O3,La2Ti6O15,SmO和CeTi21O38,并使扩渗后的PbTiO3基陶瓷的导电性能发生了十分显著的变化,其室温电阻率从纯PbTiO3陶瓷的2.0×1010?·m下降为0.2?·m,而且随着温度的变化,晶粒电阻呈现明显的PTCR效应,而晶界电阻随着温度的升高,呈急剧连续降低状态,总电阻的变化规律与晶界电阻的变化相类似,试样总电阻的PTCR效应已不存在,已表现出导电体特征。
通过对钛酸铅陶瓷气相扩渗稀土元素,制备了导电陶瓷材料。通过X射线衍射、电子探针X射线能谱和扫描电镜测试分析,表明稀土元素La,Ce,Gd,Sm等均已渗入到PbTiO3陶瓷体相中,并生成了新的化合物La5O7NO3,La2C2O2,Gd2O3,La2Ti6O15,SmO和CeTi21O38,并使扩渗后的PbTiO3基陶瓷的导电性能发生了十分显著的变化,其室温电阻率从纯PbTiO3陶瓷的2.0×1010?·m下降为0.2?·m,而且随着温度的变化,晶粒电阻呈现明显的PTCR效应,而晶界电阻随着温度的升高,呈急剧连续降低状态,总电阻的变化规律与晶界电阻的变化相类似,试样总电阻的PTCR效应已不存在,已表现出导电体特征。
2005, 34(9).
摘要:
采用高温固相反应法制备了Eu3+掺杂ZnO-MgO-La2O3-B2O3基质的光致发光光纤,通过轴向拉伸试验测量了该光纤的应力-应变曲线。应用弹脆塑性理论研究了屈服面的变化和应力-应变的本构关系,计算了拉伸弹性模量、拉伸强度、拉伸最大负荷、拉伸强度的应变、断裂伸长率和材料的脆性指数。结果表明,该光纤弹性模量高于普通玻璃和大理石,接近于硬铝合金和轧制铝,其拉伸强度和所能承载的负荷都较大。
采用高温固相反应法制备了Eu3+掺杂ZnO-MgO-La2O3-B2O3基质的光致发光光纤,通过轴向拉伸试验测量了该光纤的应力-应变曲线。应用弹脆塑性理论研究了屈服面的变化和应力-应变的本构关系,计算了拉伸弹性模量、拉伸强度、拉伸最大负荷、拉伸强度的应变、断裂伸长率和材料的脆性指数。结果表明,该光纤弹性模量高于普通玻璃和大理石,接近于硬铝合金和轧制铝,其拉伸强度和所能承载的负荷都较大。
2005, 34(9).
摘要:
通过X射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)的方法,在带有GaN缓冲层的蓝宝石(Al2O3)衬底上生长的AlGaN/GaN超晶格材料的微观结构、光吸收性质和发光特性。X射线衍射结果表明,GaN基材料均为纤锌矿六方结构,薄膜具有良好的结晶质量,薄膜生长沿c轴择优取向。透射电镜观察表明,超晶格试样的周期结构分布均匀,实际周期为13.3nm,且观察到高密度的位错存在于外延膜中。通过光学试验数据,确定了试样的光学吸收边都是在370nm附近,理论计算显示试样为直接跃迁型半导体,禁带宽度约为3.4eV。试样的折射率随光子能量的增加而增加、随波长的增加而减小,计算表明消光系数的极小值位于370nm处。光致发光测试分析表明,超晶格有很好的发光性能,并发现存在黄带发光。
通过X射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)的方法,在带有GaN缓冲层的蓝宝石(Al2O3)衬底上生长的AlGaN/GaN超晶格材料的微观结构、光吸收性质和发光特性。X射线衍射结果表明,GaN基材料均为纤锌矿六方结构,薄膜具有良好的结晶质量,薄膜生长沿c轴择优取向。透射电镜观察表明,超晶格试样的周期结构分布均匀,实际周期为13.3nm,且观察到高密度的位错存在于外延膜中。通过光学试验数据,确定了试样的光学吸收边都是在370nm附近,理论计算显示试样为直接跃迁型半导体,禁带宽度约为3.4eV。试样的折射率随光子能量的增加而增加、随波长的增加而减小,计算表明消光系数的极小值位于370nm处。光致发光测试分析表明,超晶格有很好的发光性能,并发现存在黄带发光。
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摘要:
运用盐-金属反应法制备了亚微米TiB_2 颗粒增强铝基复合材料(TiB_2/AC8A)。TiB_2 颗粒通过钛盐和硼盐与铝合金反应原位生成。对复合材料进行了显微组织观察和高温蠕变性能实验。原位TiB2颗粒的尺寸约为0.5 μm,近似呈球形。TiB_2/AC8A 复合材料具有优异的高温蠕变性能。10 ω/% TiB2原位颗粒(~0.5 μm)增强AC8A 复合材料的蠕变抗力比10 φ/% SiCp(1.7 μm)外加颗粒增强Al 复合材料至少要高两个数量级。10 ω/% TiB_2/AC8A 复合材料表现出高的名义应力指数(11.7~12.5)和名义激活能(265 kJ/mol),其稳态蠕变数据能够用应力指数为8 的亚结构不变模型和门槛应力来解释。TiB_2/AC8A 复合材料的蠕变断裂行为符合Monkman-Grant 关系式。
运用盐-金属反应法制备了亚微米TiB_2 颗粒增强铝基复合材料(TiB_2/AC8A)。TiB_2 颗粒通过钛盐和硼盐与铝合金反应原位生成。对复合材料进行了显微组织观察和高温蠕变性能实验。原位TiB2颗粒的尺寸约为0.5 μm,近似呈球形。TiB_2/AC8A 复合材料具有优异的高温蠕变性能。10 ω/% TiB2原位颗粒(~0.5 μm)增强AC8A 复合材料的蠕变抗力比10 φ/% SiCp(1.7 μm)外加颗粒增强Al 复合材料至少要高两个数量级。10 ω/% TiB_2/AC8A 复合材料表现出高的名义应力指数(11.7~12.5)和名义激活能(265 kJ/mol),其稳态蠕变数据能够用应力指数为8 的亚结构不变模型和门槛应力来解释。TiB_2/AC8A 复合材料的蠕变断裂行为符合Monkman-Grant 关系式。
2005, 34(9).
摘要:
利用溶胶-凝胶法制备了纳米晶La0.7Pb0.3FeO3气敏材料,并对其相组成、电导及其对CO气敏性能进行了研究。XRD结果表明:掺铅固溶体La0.7Pb0.3FeO3仍为正交晶系钙钛矿结构,粒径约为17nm,低于纯相LaFeO3的粒径31nm。电导测量显示:该材料呈p型半导体导电行为,电导大于同温度下纯相LaFeO3的电导,且电导突变温度有所降低。气敏性能研究表明:Pb掺杂对其CO气敏性能有了明显改善。
利用溶胶-凝胶法制备了纳米晶La0.7Pb0.3FeO3气敏材料,并对其相组成、电导及其对CO气敏性能进行了研究。XRD结果表明:掺铅固溶体La0.7Pb0.3FeO3仍为正交晶系钙钛矿结构,粒径约为17nm,低于纯相LaFeO3的粒径31nm。电导测量显示:该材料呈p型半导体导电行为,电导大于同温度下纯相LaFeO3的电导,且电导突变温度有所降低。气敏性能研究表明:Pb掺杂对其CO气敏性能有了明显改善。
2005, 34(9).
摘要:
通过液态原位反应合成制备MgO/Mg2Si增强Mg-Li基复合材料,利用TEM对增强相形态及界面结构进行了观察。实验结果表明,复合材料中增强粒子与基体界面结合良好,无反应物生成。确定了增强粒子与基体的界面取向关系,MgO与基体α相的晶体学关系为[100]MgO‖[4043]α,(011)MgO‖(1210)α;Mg2Si与基体β相的晶体学关系为[310]Mg2Si‖[411]β,(131)Mg2Si‖(001)β。
通过液态原位反应合成制备MgO/Mg2Si增强Mg-Li基复合材料,利用TEM对增强相形态及界面结构进行了观察。实验结果表明,复合材料中增强粒子与基体界面结合良好,无反应物生成。确定了增强粒子与基体的界面取向关系,MgO与基体α相的晶体学关系为[100]MgO‖[4043]α,(011)MgO‖(1210)α;Mg2Si与基体β相的晶体学关系为[310]Mg2Si‖[411]β,(131)Mg2Si‖(001)β。
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摘要:
将高能球磨后的Ti-Al粉末和TiC,Al2O3粉末混合进行热压烧结,在烧结的过程中反应生成金属间化合物为增强相的复合材料。通过对粉料的X射线衍射分析、热分析(DSC)和烧结体的成分分析表明,最终的金属间化合物只有Ti3Al而没有其它金属间化合物相。通过热力学计算,分析了反应烧结过程并发现在低温由固相间原子扩散控制生成TiAl3,TiAl,Ti3Al的渐进过程,和在高温下金属间化合物的合成机理,而且增强相和基体界面间处于稳定状态。
将高能球磨后的Ti-Al粉末和TiC,Al2O3粉末混合进行热压烧结,在烧结的过程中反应生成金属间化合物为增强相的复合材料。通过对粉料的X射线衍射分析、热分析(DSC)和烧结体的成分分析表明,最终的金属间化合物只有Ti3Al而没有其它金属间化合物相。通过热力学计算,分析了反应烧结过程并发现在低温由固相间原子扩散控制生成TiAl3,TiAl,Ti3Al的渐进过程,和在高温下金属间化合物的合成机理,而且增强相和基体界面间处于稳定状态。
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摘要:
用直流反应磁控溅射法制备了TiO2薄膜,并对热处理前后试样的紫外可见光谱(UV-Visspectrum)和荧光发射光谱(PLSpectrunm)做了研究。发现热处理后试样的紫外可见光谱在496nm处出现了一个较为明显的吸收峰,荧光发射光谱496.5nm处出现一个荧光发射带肩。X射线光电子能谱(XPS)的分析结果表明,热处理可使薄膜中晶格氧扩散出去,生成Ti3+离子和氧空位。结合XPS的分析结果和理论计算,可推断热处理后出现的位于496nm处的吸收峰和496.5nm处的荧光带肩可被指认为薄膜中Ti3+离子的d电子跃迁产生。
用直流反应磁控溅射法制备了TiO2薄膜,并对热处理前后试样的紫外可见光谱(UV-Visspectrum)和荧光发射光谱(PLSpectrunm)做了研究。发现热处理后试样的紫外可见光谱在496nm处出现了一个较为明显的吸收峰,荧光发射光谱496.5nm处出现一个荧光发射带肩。X射线光电子能谱(XPS)的分析结果表明,热处理可使薄膜中晶格氧扩散出去,生成Ti3+离子和氧空位。结合XPS的分析结果和理论计算,可推断热处理后出现的位于496nm处的吸收峰和496.5nm处的荧光带肩可被指认为薄膜中Ti3+离子的d电子跃迁产生。
2005, 34(9).
摘要:
采用自行研制的脉冲微弧氧化设备,在TiAl合金表面制备了微弧氧化陶瓷层。测定了TiAl合金微弧氧化陶瓷层在高温循环氧化条件下的氧化动力学曲线。研究了在微弧氧化处理溶液中加入SiO32-对陶瓷层性能的影响。实验结果显示:经过微弧氧化处理后试样的高温氧化动力学曲线大致呈抛物线规律,其表面的陶瓷氧化膜具有保护性;在微弧氧化处理溶液中加入SiO32-后,微弧氧化处理的TiAl合金的使用温度可提高到1273K。利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对陶瓷层的显微结构和物相组成进行分析,发现其物相组成为含量约占80%的Al2TiO5,11%的TiO2以及9%的SiO2。这表明SiO2能有效抑制Al2TiO5在高温下的分解,从而大幅提高TiAl合金的抗高温氧化性。
采用自行研制的脉冲微弧氧化设备,在TiAl合金表面制备了微弧氧化陶瓷层。测定了TiAl合金微弧氧化陶瓷层在高温循环氧化条件下的氧化动力学曲线。研究了在微弧氧化处理溶液中加入SiO32-对陶瓷层性能的影响。实验结果显示:经过微弧氧化处理后试样的高温氧化动力学曲线大致呈抛物线规律,其表面的陶瓷氧化膜具有保护性;在微弧氧化处理溶液中加入SiO32-后,微弧氧化处理的TiAl合金的使用温度可提高到1273K。利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对陶瓷层的显微结构和物相组成进行分析,发现其物相组成为含量约占80%的Al2TiO5,11%的TiO2以及9%的SiO2。这表明SiO2能有效抑制Al2TiO5在高温下的分解,从而大幅提高TiAl合金的抗高温氧化性。
2005, 34(9).
摘要:
采用SiC/Si3N4陶瓷先驱体聚硅氮烷连接反应烧结碳化硅陶瓷,研究了连接温度、连接压力、浸渍/裂解增强处理对连接强度的影响。结果表明:在1100℃~1400℃温度范围内,连接强度先升高后降低;连接过程中施加适当的轴向压力可提高连接层致密度;浸渍/裂解增强处理可大幅度提高接头强度。当连接温度为1300℃,连接压力为15kPa,经3次增强处理的连接件抗弯强度达最大值169.1MPa。这种连接件的断口表面粘有大量SiC母材。由XRD研究表明,随着温度的逐步升高,聚硅氮烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变。微观结构及成分分析显示:连接层为厚度2μm~3μm的SiCN无定形陶瓷,其结构较为均匀致密;连接层与基体间界面接合良好。
采用SiC/Si3N4陶瓷先驱体聚硅氮烷连接反应烧结碳化硅陶瓷,研究了连接温度、连接压力、浸渍/裂解增强处理对连接强度的影响。结果表明:在1100℃~1400℃温度范围内,连接强度先升高后降低;连接过程中施加适当的轴向压力可提高连接层致密度;浸渍/裂解增强处理可大幅度提高接头强度。当连接温度为1300℃,连接压力为15kPa,经3次增强处理的连接件抗弯强度达最大值169.1MPa。这种连接件的断口表面粘有大量SiC母材。由XRD研究表明,随着温度的逐步升高,聚硅氮烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变。微观结构及成分分析显示:连接层为厚度2μm~3μm的SiCN无定形陶瓷,其结构较为均匀致密;连接层与基体间界面接合良好。
2005, 34(9).
摘要:
研究了采用悬浮熔炼(常规铸态)和不同冷却速度的单辊快淬方法制备的Mm(NiCoMnAl)5型稀土系贮氢合金负极活性材料对金属氢化物镍(MH/Ni)电池性能的影响。结果表明,采用不同方法制备的合金对整个电池活化后的容量和内阻影响很小,但是常规铸态合金在退火后降低了电池的放电电压平台,快淬合金随着冷凝速率的提高,放电平台呈降低趋势。对循环充放电过程中电池内阻、循环到一定次数时负极贮氢合金的粒度和正极内铝含量的测试结果表明,铸态不退火合金较差的抗粉化性和较差的耐腐蚀性使电池的循环性能较差,经退火后其性能均有所提高,快淬合金使电池的循环性能优于常规铸态合金。
研究了采用悬浮熔炼(常规铸态)和不同冷却速度的单辊快淬方法制备的Mm(NiCoMnAl)5型稀土系贮氢合金负极活性材料对金属氢化物镍(MH/Ni)电池性能的影响。结果表明,采用不同方法制备的合金对整个电池活化后的容量和内阻影响很小,但是常规铸态合金在退火后降低了电池的放电电压平台,快淬合金随着冷凝速率的提高,放电平台呈降低趋势。对循环充放电过程中电池内阻、循环到一定次数时负极贮氢合金的粒度和正极内铝含量的测试结果表明,铸态不退火合金较差的抗粉化性和较差的耐腐蚀性使电池的循环性能较差,经退火后其性能均有所提高,快淬合金使电池的循环性能优于常规铸态合金。
2005, 34(9).
摘要:
采用纯度分别为99.94%和99.2%的稀土金属Gd,配制了Gd5Si1.9Ge2.1和Gd5Si1.72Ge2.28两组合金,研究杂质对Gd5(SixGe1-x)4合金磁熵变的影响原因。粉末衍射结构分析表明,所研究的合金中都有Gd5Si2Ge2相,而采用低纯Gd配制的Gd5(SixGe1-x)4合金中还出现了明显的Gd5(Si,Ge)3相。磁性测量表明,杂质不改变合金中主相的居里温度,即没有改变合金中主相磁性原子的相互作用,但由于低温反铁磁性Gd5(Si,Ge)3相对室温Gd5Si2Ge2相的磁熵变没有贡献,导致Gd5(SixGe1-x)4合金在室温附近的磁熵变下降。
采用纯度分别为99.94%和99.2%的稀土金属Gd,配制了Gd5Si1.9Ge2.1和Gd5Si1.72Ge2.28两组合金,研究杂质对Gd5(SixGe1-x)4合金磁熵变的影响原因。粉末衍射结构分析表明,所研究的合金中都有Gd5Si2Ge2相,而采用低纯Gd配制的Gd5(SixGe1-x)4合金中还出现了明显的Gd5(Si,Ge)3相。磁性测量表明,杂质不改变合金中主相的居里温度,即没有改变合金中主相磁性原子的相互作用,但由于低温反铁磁性Gd5(Si,Ge)3相对室温Gd5Si2Ge2相的磁熵变没有贡献,导致Gd5(SixGe1-x)4合金在室温附近的磁熵变下降。
2005, 34(9).
摘要:
系统研究了TiV2.1Nix(x=0.2,0.3,0.4,0.5,0.6)贮氢合金的相结构及电化学性能。XRD及SEM分析表明:合金均由体心立方(bcc)结构的V基固溶体主相和TiNi基第二相组成;随着Ni含量x的增加,合金中V基固溶体主相的相含量和晶胞参数逐渐减小,TiNi基第二相含量逐渐增多,且当x≥0.4时,TiNi基第二相组织沿主相晶界形成明显的三维网络状结构。电化学测试表明:随着x的增加,合金的高倍率放电性能及循环稳定性均得到显著改善;但当x从0.4增加到0.6时,合金的活化性能变差,最大放电容量降低。在研究的合金中,TiV2.1Ni0.4表现出较好的综合性能。
系统研究了TiV2.1Nix(x=0.2,0.3,0.4,0.5,0.6)贮氢合金的相结构及电化学性能。XRD及SEM分析表明:合金均由体心立方(bcc)结构的V基固溶体主相和TiNi基第二相组成;随着Ni含量x的增加,合金中V基固溶体主相的相含量和晶胞参数逐渐减小,TiNi基第二相含量逐渐增多,且当x≥0.4时,TiNi基第二相组织沿主相晶界形成明显的三维网络状结构。电化学测试表明:随着x的增加,合金的高倍率放电性能及循环稳定性均得到显著改善;但当x从0.4增加到0.6时,合金的活化性能变差,最大放电容量降低。在研究的合金中,TiV2.1Ni0.4表现出较好的综合性能。
2005, 34(9).
摘要:
采用低温燃烧合成工艺在甘氨酸-硝酸盐体系中制备出Ce0.8Nd0.2O1.9固溶体纳米粉末,重点考察了甘氨酸与硝酸盐的配比(G/N)以及焙烧温度对粉末特性的影响。通过热重-差示扫描量热分析(TG-DSC)得知,燃烧反应的点火温度为257℃。利用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、比表面积仪(BET)及傅里叶红外光谱(FTIR)等手段对粉末的结构、形貌、成分、尺寸及比表面积进行了分析。结果表明:燃烧反应后直接得到萤石型结构的单相固溶体,晶粒尺寸为8nm~12nm之间,比表面积为38m2/g~47m2/g;晶粒尺寸随焙烧温度升高而增加,在800℃下焙烧1h后,可以去除反应残留物质,并使获得的晶形更加完整。
采用低温燃烧合成工艺在甘氨酸-硝酸盐体系中制备出Ce0.8Nd0.2O1.9固溶体纳米粉末,重点考察了甘氨酸与硝酸盐的配比(G/N)以及焙烧温度对粉末特性的影响。通过热重-差示扫描量热分析(TG-DSC)得知,燃烧反应的点火温度为257℃。利用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、比表面积仪(BET)及傅里叶红外光谱(FTIR)等手段对粉末的结构、形貌、成分、尺寸及比表面积进行了分析。结果表明:燃烧反应后直接得到萤石型结构的单相固溶体,晶粒尺寸为8nm~12nm之间,比表面积为38m2/g~47m2/g;晶粒尺寸随焙烧温度升高而增加,在800℃下焙烧1h后,可以去除反应残留物质,并使获得的晶形更加完整。
2005, 34(9).
摘要:
采用直流磁控溅射法制备了Co1_(-x)Pt_x合金薄膜,并详细研究了其结构和磁学性能随x变化的规律。通过XRD结构分析可知:溅射态的薄膜当x≤28%时,为hcp结构;x=35%和40%时,为hcp和fcc的混合结构;x≥46%以后,为fcc结构。VSM测试结果表明:随x的增大,溅射态薄膜的矫顽力先增大后减小,当x=23%时,矫顽力达到最大值2147×79.6A/m,在x=46%处矫顽力急剧下降至100×79.6A/m左右,x>46%以后,矫顽力随x的增大不再明显变化。退火后,hcp结构的薄膜矫顽力基本不变,而接近等原子比的fcc结构的CoPt薄膜,由于部分转变为fct结构,矫顽力有很大提高;fcc结构的CoPt3薄膜矫顽力有所增大,但是增大不多。
采用直流磁控溅射法制备了Co1_(-x)Pt_x合金薄膜,并详细研究了其结构和磁学性能随x变化的规律。通过XRD结构分析可知:溅射态的薄膜当x≤28%时,为hcp结构;x=35%和40%时,为hcp和fcc的混合结构;x≥46%以后,为fcc结构。VSM测试结果表明:随x的增大,溅射态薄膜的矫顽力先增大后减小,当x=23%时,矫顽力达到最大值2147×79.6A/m,在x=46%处矫顽力急剧下降至100×79.6A/m左右,x>46%以后,矫顽力随x的增大不再明显变化。退火后,hcp结构的薄膜矫顽力基本不变,而接近等原子比的fcc结构的CoPt薄膜,由于部分转变为fct结构,矫顽力有很大提高;fcc结构的CoPt3薄膜矫顽力有所增大,但是增大不多。
16 镁合金的阳极氧化研究
2005, 34(9):1345-1348.
摘要:
阳极氧化是镁合金表面改性的有效方法.基于经典的阳极氧化工艺,目前的研究取得了长足的进步,主要表现在电解质溶液成分的改进、电参数的研究、成膜机理、膜层成分和结构的研究,以及后处理等.本文对其进行了详细的综述,同时指出了发展趋向.
阳极氧化是镁合金表面改性的有效方法.基于经典的阳极氧化工艺,目前的研究取得了长足的进步,主要表现在电解质溶液成分的改进、电参数的研究、成膜机理、膜层成分和结构的研究,以及后处理等.本文对其进行了详细的综述,同时指出了发展趋向.
2005, 34(9):1349-1351.
摘要:
综述了难熔金属（钒、铌、钽、钼、钨等）热学性能的研究现状及其进展,从理论和实验两方面讨论了难熔金属热学性能与微观结构之间的关系.简述了纳米晶难熔金属的研究现状.最后对难熔金属研究与应用的前景进行了展望.
综述了难熔金属（钒、铌、钽、钼、钨等）热学性能的研究现状及其进展,从理论和实验两方面讨论了难熔金属热学性能与微观结构之间的关系.简述了纳米晶难熔金属的研究现状.最后对难熔金属研究与应用的前景进行了展望.
2005, 34(9):1352-1356.
摘要:
研究采用均相共沉淀法制备纳米ITO（Indium Tin Oxide）粉末的制备工艺参数,从碱式溶度积平衡和酸式溶度积平衡,根据热力学平衡理论并引入化学反应热容参数分别计算了ITO前驱物In（OH）3和Sn（OH）4开始沉淀和沉淀完全的pH值以及其开始溶解和溶解完全的pH值,给出了这些pH值随沉淀温度的变化规律,由此对工艺参数进行了优化设计并提供了一种有效的材料掺杂新工艺.采用高分辨率透射电镜,扫描电镜,X射线衍射对ITO纳米粉末进行了测量.结果表明,ITO粉末的平均晶粒大小为28 nm,而且沿（400）面生长.
研究采用均相共沉淀法制备纳米ITO（Indium Tin Oxide）粉末的制备工艺参数,从碱式溶度积平衡和酸式溶度积平衡,根据热力学平衡理论并引入化学反应热容参数分别计算了ITO前驱物In（OH）3和Sn（OH）4开始沉淀和沉淀完全的pH值以及其开始溶解和溶解完全的pH值,给出了这些pH值随沉淀温度的变化规律,由此对工艺参数进行了优化设计并提供了一种有效的材料掺杂新工艺.采用高分辨率透射电镜,扫描电镜,X射线衍射对ITO纳米粉末进行了测量.结果表明,ITO粉末的平均晶粒大小为28 nm,而且沿（400）面生长.
2005, 34(9):1357-1360.
摘要:
研究了短纤维增强复合材料（MMC）的蠕变损伤和失效的细观机理.采用微胞模型结合有限元软件ABAQUS进行.基体的损伤失效由K-R模型描述,纤维断裂由应力准则控制,它们已分别作为用户子程序编入到ABAQUS中.有限元分析表明,在纤维断裂前损伤主要位于纤维头顶角附近,断裂后集中在纤维断裂面附近.纤维断裂对基体蠕变损伤影响有限,但是断面附近产生很高的应力集中,该应力集中将有助于裂纹在基体中的发展.
研究了短纤维增强复合材料（MMC）的蠕变损伤和失效的细观机理.采用微胞模型结合有限元软件ABAQUS进行.基体的损伤失效由K-R模型描述,纤维断裂由应力准则控制,它们已分别作为用户子程序编入到ABAQUS中.有限元分析表明,在纤维断裂前损伤主要位于纤维头顶角附近,断裂后集中在纤维断裂面附近.纤维断裂对基体蠕变损伤影响有限,但是断面附近产生很高的应力集中,该应力集中将有助于裂纹在基体中的发展.
2005, 34(9):1361-1364.
摘要:
通过对钛酸铅陶瓷气相扩渗稀土元素,制备了导电陶瓷材料. 通过X射线衍射、电子探针X射线能谱和扫描电镜测试分析,表明稀土元素La,Ce,Gd,Sm等均已渗入到PbTiO3陶瓷体相中,并生成了新的化合物La5O7NO3,La2C2O2,Gd2O3,La2Ti6O15,SmO和CeTi21O38,并使扩渗后的PbTiO3基陶瓷的导电性能发生了十分显著的变化,其室温电阻率从纯PbTiO3陶瓷的2.0×1010 (·m下降为0.2 (·m,而且随着温度的变化,晶粒电阻呈现明显的PTCR效应,而晶界电阻随着温度的升高,呈急剧连续降低状态,总电阻的变化规律与晶界电阻的变化相类似,试样总电阻的PTCR效应已不存在,已表现出导电体特征.
通过对钛酸铅陶瓷气相扩渗稀土元素,制备了导电陶瓷材料. 通过X射线衍射、电子探针X射线能谱和扫描电镜测试分析,表明稀土元素La,Ce,Gd,Sm等均已渗入到PbTiO3陶瓷体相中,并生成了新的化合物La5O7NO3,La2C2O2,Gd2O3,La2Ti6O15,SmO和CeTi21O38,并使扩渗后的PbTiO3基陶瓷的导电性能发生了十分显著的变化,其室温电阻率从纯PbTiO3陶瓷的2.0×1010 (·m下降为0.2 (·m,而且随着温度的变化,晶粒电阻呈现明显的PTCR效应,而晶界电阻随着温度的升高,呈急剧连续降低状态,总电阻的变化规律与晶界电阻的变化相类似,试样总电阻的PTCR效应已不存在,已表现出导电体特征.
2005, 34(9):1365-1368.
摘要:
采用直流磁控溅射法制备了Co1-xPtx合金薄膜,并详细研究了其结构和磁学性能随x变化的规律.通过XRD结构分析可知溅射态的薄膜当x≤28%时,为hcp结构;x=35%和40%时,为hcp和fcc的混合结构;x≥46%以后,为fcc结构.VSM测试结果表明随x的增大,溅射态薄膜的矫顽力先增大后减小,当x=23%时,矫顽力达到最大值2147×79.6 A/m,在x=46%处矫顽力急剧下降至100×79.6 A/m左右,x＞46%以后,矫顽力随x的增大不再明显变化.退火后,hcp结构的薄膜矫顽力基本不变,而接近等原子比的fcc结构的CoPt薄膜,由于部分转变为fct结构,矫顽力有很大提高;fcc结构的CoPt3薄膜矫顽力有所增大,但是增大不多.
采用直流磁控溅射法制备了Co1-xPtx合金薄膜,并详细研究了其结构和磁学性能随x变化的规律.通过XRD结构分析可知溅射态的薄膜当x≤28%时,为hcp结构;x=35%和40%时,为hcp和fcc的混合结构;x≥46%以后,为fcc结构.VSM测试结果表明随x的增大,溅射态薄膜的矫顽力先增大后减小,当x=23%时,矫顽力达到最大值2147×79.6 A/m,在x=46%处矫顽力急剧下降至100×79.6 A/m左右,x＞46%以后,矫顽力随x的增大不再明显变化.退火后,hcp结构的薄膜矫顽力基本不变,而接近等原子比的fcc结构的CoPt薄膜,由于部分转变为fct结构,矫顽力有很大提高;fcc结构的CoPt3薄膜矫顽力有所增大,但是增大不多.
2005, 34(9):1369-1372.
摘要:
应用三元扩散偶技术测定了Ni-Cr-Mo三元系1358 K的等温截面,借助电子探针微区成分分析方法分析了Ni-Cr-Mo三元扩散偶的相区成分,并对其相关系进行了研究.测得Ni-Cr-Mo三元扩散偶在1358 K下存在一个中间化合物NiMo,Cr和Mo在扩散偶中形成连续固溶体,Ni和（Cr,Mo）有限固溶,扩散偶中未发现三元中间化合物.实验发现Ni-Cr-Mo三元系1358 K的等温截面存在一个三相区：Ni＋NiMo＋（Cr,Mo）.
应用三元扩散偶技术测定了Ni-Cr-Mo三元系1358 K的等温截面,借助电子探针微区成分分析方法分析了Ni-Cr-Mo三元扩散偶的相区成分,并对其相关系进行了研究.测得Ni-Cr-Mo三元扩散偶在1358 K下存在一个中间化合物NiMo,Cr和Mo在扩散偶中形成连续固溶体,Ni和（Cr,Mo）有限固溶,扩散偶中未发现三元中间化合物.实验发现Ni-Cr-Mo三元系1358 K的等温截面存在一个三相区：Ni＋NiMo＋（Cr,Mo）.
2005, 34(9):1373-1376.
摘要:
采用高温固相反应法制备了Eu^3＋掺杂ZnO-MgO-La203-B203基质的光致发光光纤，通过轴向拉伸试验测量了该光纤的应力-应变曲线。应用弹脆塑性理论研究了屈服面的变化和应力-应变的本构关系，计算了拉伸弹性模量、拉伸强度、拉伸最大负荷、拉伸强度的应变、断裂伸长率和材料的脆性指数。结果表明，该光纤弹性模量高于普通玻璃和大理石，接近于硬铝合金和轧制铝，其拉伸强度和所能承载的负荷都较大。
采用高温固相反应法制备了Eu^3＋掺杂ZnO-MgO-La203-B203基质的光致发光光纤，通过轴向拉伸试验测量了该光纤的应力-应变曲线。应用弹脆塑性理论研究了屈服面的变化和应力-应变的本构关系，计算了拉伸弹性模量、拉伸强度、拉伸最大负荷、拉伸强度的应变、断裂伸长率和材料的脆性指数。结果表明，该光纤弹性模量高于普通玻璃和大理石，接近于硬铝合金和轧制铝，其拉伸强度和所能承载的负荷都较大。
2005, 34(9):1377-1380.
摘要:
采用分子动力学法建立了熔体ZA27合金模型,并通过计算机模拟获得α相-熔体ZA27界面、α相- TiAl3化合物界面原子集团.用递归法计算了α相、TiAl3化合物的结构能,α相与熔体金属,α相与TiAl3化合物的界面能.计算结果表明：TiAl3化合物的结构能高于α相的结构能,合金凝固时TiAl3化合物先于α相从熔体中析出;α相与TiAl3化合物间的界面能低于α相与熔体金属间的界面能,α相以TiAl3化合物为基体形核比之从熔体金属直接形核增加的界面能少,可减少形核功,因此,TiAl3可成为α相的异质核心,增加α相形核率,细化合金组织.
采用分子动力学法建立了熔体ZA27合金模型,并通过计算机模拟获得α相-熔体ZA27界面、α相- TiAl3化合物界面原子集团.用递归法计算了α相、TiAl3化合物的结构能,α相与熔体金属,α相与TiAl3化合物的界面能.计算结果表明：TiAl3化合物的结构能高于α相的结构能,合金凝固时TiAl3化合物先于α相从熔体中析出;α相与TiAl3化合物间的界面能低于α相与熔体金属间的界面能,α相以TiAl3化合物为基体形核比之从熔体金属直接形核增加的界面能少,可减少形核功,因此,TiAl3可成为α相的异质核心,增加α相形核率,细化合金组织.
2005, 34(9):1381-1384.
摘要:
对用无压浸渗法制备的高含量Si/Al复合材料的浸渗及凝固组织进行了研究,对Si骨架间的凝固组织和浸渗过程中的水淬组织进行了详细的分析,并对2种组织进行了比较.结果表明,Si骨架间的过共晶Al-Si合金液的水淬组织为伪共晶组织,高速率的凝固阻碍了Si的析出和扩散.而在缓慢冷却凝固时,随着初晶Si的析出,形成呈网络状连续的Si相骨架,Si骨架间隙进一步减小,剩余的过共晶成分的液相被分隔局限其间,液相比例减少.在被Si相骨架分隔的微区内产生了类似于离异共晶的析出现象――初晶Si和共晶Si只能沿原预制体Si多孔体骨架上附着析出,凝固后的Al基体为α相,而不是典型的Al-Si共晶组织.另外,Si相的体积分数决定于浸渗温度.
对用无压浸渗法制备的高含量Si/Al复合材料的浸渗及凝固组织进行了研究,对Si骨架间的凝固组织和浸渗过程中的水淬组织进行了详细的分析,并对2种组织进行了比较.结果表明,Si骨架间的过共晶Al-Si合金液的水淬组织为伪共晶组织,高速率的凝固阻碍了Si的析出和扩散.而在缓慢冷却凝固时,随着初晶Si的析出,形成呈网络状连续的Si相骨架,Si骨架间隙进一步减小,剩余的过共晶成分的液相被分隔局限其间,液相比例减少.在被Si相骨架分隔的微区内产生了类似于离异共晶的析出现象――初晶Si和共晶Si只能沿原预制体Si多孔体骨架上附着析出,凝固后的Al基体为α相,而不是典型的Al-Si共晶组织.另外,Si相的体积分数决定于浸渗温度.
2005, 34(9):1385-1388.
摘要:
通过X射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积（MOCVD）的方法,在带有GaN缓冲层的蓝宝石（Al2O3）衬底上生长的AlGaN/GaN超晶格材料的微观结构、光吸收性质和发光特性.X射线衍射结果表明,GaN基材料均为纤锌矿六方结构,薄膜具有良好的结晶质量,薄膜生长沿c轴择优取向.透射电镜观察表明,超晶格试样的周期结构分布均匀,实际周期为13.3nm，且观察到高密度的位错存在于外延膜中。通过光学试验数据，确定了试样的光学吸收边都是在370nm附近，理论计算显示试样为直接跃迁型半导体，禁带宽度约为3．4eV。试样的折射率随光子能量的增加而增加、随波长的增加而减小，计算表明消光系数的极小值位于370nm处。光致发光测试分析表明，超晶格有很好的发光性能，并发现存在黄带发光。
通过X射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积（MOCVD）的方法,在带有GaN缓冲层的蓝宝石（Al2O3）衬底上生长的AlGaN/GaN超晶格材料的微观结构、光吸收性质和发光特性.X射线衍射结果表明,GaN基材料均为纤锌矿六方结构,薄膜具有良好的结晶质量,薄膜生长沿c轴择优取向.透射电镜观察表明,超晶格试样的周期结构分布均匀,实际周期为13.3nm，且观察到高密度的位错存在于外延膜中。通过光学试验数据，确定了试样的光学吸收边都是在370nm附近，理论计算显示试样为直接跃迁型半导体，禁带宽度约为3．4eV。试样的折射率随光子能量的增加而增加、随波长的增加而减小，计算表明消光系数的极小值位于370nm处。光致发光测试分析表明，超晶格有很好的发光性能，并发现存在黄带发光。
2005, 34(9):1389-1393.
摘要:
采用熔渗/氮化复合处理技术对TiC-TiN基、WC基金属陶瓷进行了高温高压熔渗/氮化处理,通过扫描电镜、能谱仪、X射线衍射等分析技术对其显微组织、成分及结构进行了分析.结果表明：经过高温高压熔渗/氮化处理,WC-Co金属陶瓷未形成梯度结构;WC-TiC-Co金属陶瓷表面形成了TiN,但是从材料表面向内部的成分过渡存在明显的界面;TiC-TiN基金属陶瓷由表面到心部形成了梯度结构,其硬度自表面向心部呈现高-低-高的变化趋势, 该金属陶瓷表面主要形成了Ti（C0.3N0.7）.
采用熔渗/氮化复合处理技术对TiC-TiN基、WC基金属陶瓷进行了高温高压熔渗/氮化处理,通过扫描电镜、能谱仪、X射线衍射等分析技术对其显微组织、成分及结构进行了分析.结果表明：经过高温高压熔渗/氮化处理,WC-Co金属陶瓷未形成梯度结构;WC-TiC-Co金属陶瓷表面形成了TiN,但是从材料表面向内部的成分过渡存在明显的界面;TiC-TiN基金属陶瓷由表面到心部形成了梯度结构,其硬度自表面向心部呈现高-低-高的变化趋势, 该金属陶瓷表面主要形成了Ti（C0.3N0.7）.
2005, 34(9):1394-1398.
摘要:
运用盐-金属反应法制备了亚微米TiB2颗粒增强铝基复合材料（TiB2/AC8A）.TiB2颗粒通过钛盐和硼盐与铝合金反应原位生成.对复合材料进行了显微组织观察和高温蠕变性能实验.原位TiB2颗粒的尺寸约为0.5μm,近似呈球形。TiB2／AC8A复合材料具有优异的高温蠕变性能。10ω／％TiB2原位颗粒（～0．5μm）增强AC8A复合材料的蠕变抗力比10φ／％SiCp（1．7μm）外加颗粒增强AI复合材料至少要高两个数最级。10ω／％TiB2／AC8A复合材料表现出高的名义应力指数（11．7～12．5）和名义激活能（265kJ／mol），其稳态蠕变数据能够用廊力指数为8的亚结构不变模型和门槛应力来解释。TiB2／AC8A复合材料的蠕变断裂行为符合Monkman-Grant关系式。
运用盐-金属反应法制备了亚微米TiB2颗粒增强铝基复合材料（TiB2/AC8A）.TiB2颗粒通过钛盐和硼盐与铝合金反应原位生成.对复合材料进行了显微组织观察和高温蠕变性能实验.原位TiB2颗粒的尺寸约为0.5μm,近似呈球形。TiB2／AC8A复合材料具有优异的高温蠕变性能。10ω／％TiB2原位颗粒（～0．5μm）增强AC8A复合材料的蠕变抗力比10φ／％SiCp（1．7μm）外加颗粒增强AI复合材料至少要高两个数最级。10ω／％TiB2／AC8A复合材料表现出高的名义应力指数（11．7～12．5）和名义激活能（265kJ／mol），其稳态蠕变数据能够用廊力指数为8的亚结构不变模型和门槛应力来解释。TiB2／AC8A复合材料的蠕变断裂行为符合Monkman-Grant关系式。
2005, 34(9):1399-1402.
摘要:
采用高温熔炼方法后机械球磨和机械合金化方法分别制备了CoFe_3Sb_(12)和FeSb_2合金粉末,并对其电化学嵌锂性能进行了研究。研究发现,FeSb_2 的首次可逆容量为394 mAh·g-1,比CoFe_3Sb_(12) 的首次可逆容量(485 mAh·g-1)低。但是FeSb_2 容量衰减的速度要远远小于CoFe3Sb12。FeSb2 的容量保持率在第10 个循环时仍保持在70%以上,而CoFe_3Sb_(12 )却只有50%左右。通过二者嵌锂性能对比研究表明,减少嵌锂活性中心能有效地缓解合金类负极材料在循环中的容量衰减现象。
采用高温熔炼方法后机械球磨和机械合金化方法分别制备了CoFe_3Sb_(12)和FeSb_2合金粉末,并对其电化学嵌锂性能进行了研究。研究发现,FeSb_2 的首次可逆容量为394 mAh·g-1,比CoFe_3Sb_(12) 的首次可逆容量(485 mAh·g-1)低。但是FeSb_2 容量衰减的速度要远远小于CoFe3Sb12。FeSb2 的容量保持率在第10 个循环时仍保持在70%以上,而CoFe_3Sb_(12 )却只有50%左右。通过二者嵌锂性能对比研究表明,减少嵌锂活性中心能有效地缓解合金类负极材料在循环中的容量衰减现象。
2005, 34(9):1403-1406.
摘要:
利用溶胶-凝胶法制备了纳米晶La0.7Pb0.3FeO3气敏材料,并对其相组成、电导及其对CO气敏性能进行了研究.XRD结果表明：掺铅固溶体La0.7Pb0.3FeO3仍为正交晶系钙钛矿结构,粒径约为17nm,低于纯相LaFeO3的粒径31nm。电导测鼍显示：该材料足P型半导体导电行为，电导大于同温度下纯相LaFeO3的电导，且电导突变温度有所降低。气敏性能研究表明：Pb掺杂对其CO气敏性能有了明显改善。
利用溶胶-凝胶法制备了纳米晶La0.7Pb0.3FeO3气敏材料,并对其相组成、电导及其对CO气敏性能进行了研究.XRD结果表明：掺铅固溶体La0.7Pb0.3FeO3仍为正交晶系钙钛矿结构,粒径约为17nm,低于纯相LaFeO3的粒径31nm。电导测鼍显示：该材料足P型半导体导电行为，电导大于同温度下纯相LaFeO3的电导，且电导突变温度有所降低。气敏性能研究表明：Pb掺杂对其CO气敏性能有了明显改善。
2005, 34(9):1407-1410.
摘要:
为计及强散射偶极子间的相互作用,引入参量εh和μh,利用广义多重散射理论及MATLAB计算机软件对在2 GHz～18 GHz频率下的体积占空比为8%的铁纤维随机混合媒质等效磁导率的实验值进行曲线的拟合,导出了耦合系数εh和μh,并在此基础上,对体积占空比分别为30%和20%的铁纤维随机混合媒质等效磁导率进行了计算,计算结果与实验吻合良好.
为计及强散射偶极子间的相互作用,引入参量εh和μh,利用广义多重散射理论及MATLAB计算机软件对在2 GHz～18 GHz频率下的体积占空比为8%的铁纤维随机混合媒质等效磁导率的实验值进行曲线的拟合,导出了耦合系数εh和μh,并在此基础上,对体积占空比分别为30%和20%的铁纤维随机混合媒质等效磁导率进行了计算,计算结果与实验吻合良好.
2005, 34(9):1411-1414.
摘要:
在950℃的氮化温度下,通过单氢氧化镓（GaO2H）粉末与流动的NH3反应35 min制备出粒状GaN微晶.通过X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）研究发现,GaN粉末是六角纤锌矿结构的粒状微晶,其晶格常数a和c分别为0.3191 nm和0.5192 nm.X射线光电子能谱（XPS）揭示试样中有Ga-N键形成,Ga与N两元素比为1∶1.
在950℃的氮化温度下,通过单氢氧化镓（GaO2H）粉末与流动的NH3反应35 min制备出粒状GaN微晶.通过X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）研究发现,GaN粉末是六角纤锌矿结构的粒状微晶,其晶格常数a和c分别为0.3191 nm和0.5192 nm.X射线光电子能谱（XPS）揭示试样中有Ga-N键形成,Ga与N两元素比为1∶1.
2005, 34(9):1415-1418.
摘要:
采用阳极弧放电等离子体方法成功制备了高纯镍纳米粉末;利用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）和选区电子衍射（SAED）、BET吸附法测试手段对试样的成分、形貌、晶体结构、比表面积、粒度及其分布进行性能表征,并采用元素分析仪测定C,H,N含量,采用X射线能量色散分析谱仪（EDS）测定试样所含的元素及其相对含量,用红外吸收光谱（FT-1R）对结构组成进行定性分析.实验结果表明：本法所制备的镍纳米粉末的晶体结构与相应的块体材料基本相同,为fcc结构的晶态,平均粒径为47 nm,粒度范围分布在20 nm～70 nm,呈规则的球形链状分布,比表面积为14.23 m2/g,试样纯度高且具有很强吸附性.
采用阳极弧放电等离子体方法成功制备了高纯镍纳米粉末;利用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）和选区电子衍射（SAED）、BET吸附法测试手段对试样的成分、形貌、晶体结构、比表面积、粒度及其分布进行性能表征,并采用元素分析仪测定C,H,N含量,采用X射线能量色散分析谱仪（EDS）测定试样所含的元素及其相对含量,用红外吸收光谱（FT-1R）对结构组成进行定性分析.实验结果表明：本法所制备的镍纳米粉末的晶体结构与相应的块体材料基本相同,为fcc结构的晶态,平均粒径为47 nm,粒度范围分布在20 nm～70 nm,呈规则的球形链状分布,比表面积为14.23 m2/g,试样纯度高且具有很强吸附性.
2005, 34(9):1419-1422.
摘要:
采用重熔稀释法原位制备了TiC陶瓷颗粒增强的镁基复合材料.显微组织观察和XRD分析发现原位制备的增强相颗粒细小,分散均匀.阻尼研究表明,由于TiC的加入,复合材料的阻尼相对纯镁有所下降,但是热处理可以提高复合材料的阻尼性能.
采用重熔稀释法原位制备了TiC陶瓷颗粒增强的镁基复合材料.显微组织观察和XRD分析发现原位制备的增强相颗粒细小,分散均匀.阻尼研究表明,由于TiC的加入,复合材料的阻尼相对纯镁有所下降,但是热处理可以提高复合材料的阻尼性能.
2005, 34(9):1423-1426.
摘要:
采用液相压力浸渍工艺制备出碳化硅颗粒(SiCp)和硅酸铝短纤维(Al2O3·SiO2f)混杂增强的镁基复合材料,研究了其机械与阻尼性能。发现镁基复合材料的强度与纯镁相比得到了显著的改善,而阻尼性能有所降低。并且2个弛豫内耗峰存在于复合材料试样中,出现在约150℃的峰Ⅰ不仅存在于纯镁试样中而且还存在于其复合材料试样中,认为其与位错的运动有关;出现在约250℃的峰Ⅱ仅存在于复合材料的试样中,分析认为是由于碳化硅颗粒与镁基体的界面滑移所致。
采用液相压力浸渍工艺制备出碳化硅颗粒(SiCp)和硅酸铝短纤维(Al2O3·SiO2f)混杂增强的镁基复合材料,研究了其机械与阻尼性能。发现镁基复合材料的强度与纯镁相比得到了显著的改善,而阻尼性能有所降低。并且2个弛豫内耗峰存在于复合材料试样中,出现在约150℃的峰Ⅰ不仅存在于纯镁试样中而且还存在于其复合材料试样中,认为其与位错的运动有关;出现在约250℃的峰Ⅱ仅存在于复合材料的试样中,分析认为是由于碳化硅颗粒与镁基体的界面滑移所致。
2005, 34(9):1427-1429.
摘要:
通过液态原位反应合成制备MgO/Mg2Si增强Mg-Li基复合材料,利用TEM对增强相形态及界面结构进行了观察.实验结果表明,复合材料中增强粒子与基体界面结合良好,无反应物生成.确定了增强粒子与基体的界面取向关系,MgO与基体α相的晶体学关系为[100]MgO//[40（￣4）3]α,（011）MgO//（（￣1）2（￣1）0）α;Mg2Si与基体β相的晶体学关系为[310]Mg2Si//[411]β,（1（￣3）（￣1））Mg2Si//（001）β.
通过液态原位反应合成制备MgO/Mg2Si增强Mg-Li基复合材料,利用TEM对增强相形态及界面结构进行了观察.实验结果表明,复合材料中增强粒子与基体界面结合良好,无反应物生成.确定了增强粒子与基体的界面取向关系,MgO与基体α相的晶体学关系为[100]MgO//[40（￣4）3]α,（011）MgO//（（￣1）2（￣1）0）α;Mg2Si与基体β相的晶体学关系为[310]Mg2Si//[411]β,（1（￣3）（￣1））Mg2Si//（001）β.
2005, 34(9):1430-1434.
摘要:
采用扩散界面场模型对非对称成分点及拐点以下成分点同构两相分解过程中应力场（包括外场）对析出相的形态及动力学过程的影响作了比较系统的研究.模拟结果表明：对于各向异性系统在相分解过程中由于弹性应变能与界面能间的相互作用将会导致析出相在不同阶段呈现不同的形貌如网格结构、三明治多畴结构、沉淀宏观点阵结构以及板条状等;对于非均匀弹性模量系统在外加应力场作用下,沉淀相的析出过程发生重大的变化,粒子沿弹性软方向呈各向异性析出.此外,模拟结果还发现,在应力场（包括外加场情况）存在条件下,相析出的中前期长大过程中小粒子沿着弹性软方向相互联结成大粒子,在相变后期孤立的小粒子被大粒子的长大所消耗.
采用扩散界面场模型对非对称成分点及拐点以下成分点同构两相分解过程中应力场（包括外场）对析出相的形态及动力学过程的影响作了比较系统的研究.模拟结果表明：对于各向异性系统在相分解过程中由于弹性应变能与界面能间的相互作用将会导致析出相在不同阶段呈现不同的形貌如网格结构、三明治多畴结构、沉淀宏观点阵结构以及板条状等;对于非均匀弹性模量系统在外加应力场作用下,沉淀相的析出过程发生重大的变化,粒子沿弹性软方向呈各向异性析出.此外,模拟结果还发现,在应力场（包括外加场情况）存在条件下,相析出的中前期长大过程中小粒子沿着弹性软方向相互联结成大粒子,在相变后期孤立的小粒子被大粒子的长大所消耗.
2005, 34(9):1435-1438.
摘要:
通过调整合金的组成,优化其熔炼和热处理过程,制备出一种新组成的富La贮氢合金La0.62Ce0.25Pr0.03Nd0.10Ni3.69Co0.71Mn0.34Al0.29Zr0.005,用扫描电镜、压力-恒温实验、X射线衍射、恒电流充放电和循环伏安扫描方法对合金进行了表征.结果表明：该合金为六方晶系的CaCu5型结构;高温下氢的吸脱附平台低,65℃时压力平台为0.1MPa：初始容量高达335mAh／g，2C经500次循环后，容降仅为18．6％．
通过调整合金的组成,优化其熔炼和热处理过程,制备出一种新组成的富La贮氢合金La0.62Ce0.25Pr0.03Nd0.10Ni3.69Co0.71Mn0.34Al0.29Zr0.005,用扫描电镜、压力-恒温实验、X射线衍射、恒电流充放电和循环伏安扫描方法对合金进行了表征.结果表明：该合金为六方晶系的CaCu5型结构;高温下氢的吸脱附平台低,65℃时压力平台为0.1MPa：初始容量高达335mAh／g，2C经500次循环后，容降仅为18．6％．
2005, 34(9):1439-1442.
摘要:
通过高能球磨和真空热压技术制备了致密度大于98%的纳米晶CuCr合金,通过XRD,SEM和TEM研究了其显微组织和结构.结果表明,其晶粒尺寸小于50 nm.在模拟电路上研究了其真空电弧稳定性和截流值,纳米晶CuCr合金的真空电弧稳定性好于常规CuCr合金,其截流值为常规CuCr合金的17%～35%.
通过高能球磨和真空热压技术制备了致密度大于98%的纳米晶CuCr合金,通过XRD,SEM和TEM研究了其显微组织和结构.结果表明,其晶粒尺寸小于50 nm.在模拟电路上研究了其真空电弧稳定性和截流值,纳米晶CuCr合金的真空电弧稳定性好于常规CuCr合金,其截流值为常规CuCr合金的17%～35%.
2005, 34(9):1443-1446.
摘要:
将高能球磨后的Ti-Al粉末和TiC,Al2O3粉末混合进行热压烧结,在烧结的过程中反应生成金属间化合物为增强相的复合材料.通过对粉料的X射线衍射分析、热分析（DSC）和烧结体的成分分析表明,最终的金属间化合物只有Ti3Al而没有其它金属间化合物相.通过热力学计算,分析了反应烧结过程并发现在低温由固相间原子扩散控制生成TiAl3,TiAl,Ti3Al的渐进过程,和在高温下金属间化合物的合成机理,而且增强相和基体界面间处于稳定状态.
将高能球磨后的Ti-Al粉末和TiC,Al2O3粉末混合进行热压烧结,在烧结的过程中反应生成金属间化合物为增强相的复合材料.通过对粉料的X射线衍射分析、热分析（DSC）和烧结体的成分分析表明,最终的金属间化合物只有Ti3Al而没有其它金属间化合物相.通过热力学计算,分析了反应烧结过程并发现在低温由固相间原子扩散控制生成TiAl3,TiAl,Ti3Al的渐进过程,和在高温下金属间化合物的合成机理,而且增强相和基体界面间处于稳定状态.
2005, 34(9):1447-1450.
摘要:
研究了化学计量比对AB4.8~AB5.2贮氢合金电化学性能的影响。结果表明:在本实验研究范围内,当x=0.1时,贮氢合金电极的0.2C,1C和5C放电容量、高倍率放电特性及3C循环寿命分别达到324mAh·g-1,301mAh·g-1,263mAh·g-1,0.81和530次。此外,化学计量比对贮氢合金的活化性能和温度特性均有较大的影响,当x分别为–0.2,–0.1,0.0,0.1和0.2时,贮氢合金电极在0.2C充放电的条件下活化次数分别为3次、4次、7次、5次和6次,且随着x的增大,贮氢电极的高温(45℃,1C)和常温(25℃,1C)放电效率下降,低温(–18℃,1C)放电效率则有增大的趋势。从合金活化性能、大电流充放电特性和循环稳定性来看,x=0.1时(AB5.1),能得到具有较佳的电化学性能的贮氢材料。
研究了化学计量比对AB4.8~AB5.2贮氢合金电化学性能的影响。结果表明:在本实验研究范围内,当x=0.1时,贮氢合金电极的0.2C,1C和5C放电容量、高倍率放电特性及3C循环寿命分别达到324mAh·g-1,301mAh·g-1,263mAh·g-1,0.81和530次。此外,化学计量比对贮氢合金的活化性能和温度特性均有较大的影响,当x分别为–0.2,–0.1,0.0,0.1和0.2时,贮氢合金电极在0.2C充放电的条件下活化次数分别为3次、4次、7次、5次和6次,且随着x的增大,贮氢电极的高温(45℃,1C)和常温(25℃,1C)放电效率下降,低温(–18℃,1C)放电效率则有增大的趋势。从合金活化性能、大电流充放电特性和循环稳定性来看,x=0.1时(AB5.1),能得到具有较佳的电化学性能的贮氢材料。
2005, 34(9):1451-1454.
摘要:
用直流反应磁控溅射法制备了TiO2薄膜,并对热处理前后试样的紫外可见光谱（UV-Vis spectrum）和荧光发射光谱（PL Spectrunm）做了研究。发现热处理后试样的紫外可见光谱在496nm处出现了一个较为明显的吸收峰，荧光发射光谱496．5nm处出现一个荧光发射带肩。X射线光电予能谱（XPS）的分析结果表明，热处理可使薄膜中晶格氧扩散出去，生成Ti^3＋离子和氧空位。结合XPS的分析结果和理论计算，可推断热处理后出现的位于496nm处的吸收峰和496．5nm处的荧光带肩可被指认为薄膜中Ti^3＋离子的d电子跃迁产生。
用直流反应磁控溅射法制备了TiO2薄膜,并对热处理前后试样的紫外可见光谱（UV-Vis spectrum）和荧光发射光谱（PL Spectrunm）做了研究。发现热处理后试样的紫外可见光谱在496nm处出现了一个较为明显的吸收峰，荧光发射光谱496．5nm处出现一个荧光发射带肩。X射线光电予能谱（XPS）的分析结果表明，热处理可使薄膜中晶格氧扩散出去，生成Ti^3＋离子和氧空位。结合XPS的分析结果和理论计算，可推断热处理后出现的位于496nm处的吸收峰和496．5nm处的荧光带肩可被指认为薄膜中Ti^3＋离子的d电子跃迁产生。
2005, 34(9):1455-1459.
摘要:
采用自行研制的脉冲微弧氧化设备,在TiAl合金表面制备了微弧氧化陶瓷层.测定了TiAl合金微弧氧化陶瓷层在高温循环氧化条件下的氧化动力学曲线。研究了在微弧氧化处理溶液中加入SiO3^2-对陶瓷层性能的影响。实验结果显示：经过微弧氧化处理后试样的高温氧化动力学曲线大致呈抛物线规律，其表面的陶瓷氧化膜具有保护性；在微弧氧化处理溶液中加入SiO3^2-后，微弧氧化处理的TiAl合金的使用温度可提高到1273K。利用扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射仪（XRD）对陶瓷层的显微结构和物相组成进行分析，发现其物相组成为含量约占80％的Al2TiO5，11％的TiO2以及9％的SiO2。这表叫SiO2能仃效抑制Al2TiO5在高温下的分解，从而大幅提高TiAl合金的抗高温氧化性。
采用自行研制的脉冲微弧氧化设备,在TiAl合金表面制备了微弧氧化陶瓷层.测定了TiAl合金微弧氧化陶瓷层在高温循环氧化条件下的氧化动力学曲线。研究了在微弧氧化处理溶液中加入SiO3^2-对陶瓷层性能的影响。实验结果显示：经过微弧氧化处理后试样的高温氧化动力学曲线大致呈抛物线规律，其表面的陶瓷氧化膜具有保护性；在微弧氧化处理溶液中加入SiO3^2-后，微弧氧化处理的TiAl合金的使用温度可提高到1273K。利用扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射仪（XRD）对陶瓷层的显微结构和物相组成进行分析，发现其物相组成为含量约占80％的Al2TiO5，11％的TiO2以及9％的SiO2。这表叫SiO2能仃效抑制Al2TiO5在高温下的分解，从而大幅提高TiAl合金的抗高温氧化性。
2005, 34(9):1460-1464.
摘要:
通过冷变形拉拔并结合中间热处理制备了纤维相增强的Cu-12%Ag合金线材.通过不同温度下退火不同时间,研究了等温过程对Cu-12%Ag合金组织性能的影响.200℃等温退火时强化相仍能基本保持纤维形态,强度略有下降,电导率略有上升.300℃等温退火时纤维相界面局部迁移,退火初期合金电导率较快上升而强度较快下降,随后电导率上升或强度下降速率变缓.400℃等温退火时组织发生明显再结晶和晶粒粗化,退火初期合金电导率剧烈上升而强度剧烈下降,随时间延长,强度下降趋势变缓而电导率达到最高值后略有下降.可以用纤维组织的回复、再结晶、次生相析出及溶质原子溶解等因素在等温退火过程中的变化来分析材料组织、性能的变化.
通过冷变形拉拔并结合中间热处理制备了纤维相增强的Cu-12%Ag合金线材.通过不同温度下退火不同时间,研究了等温过程对Cu-12%Ag合金组织性能的影响.200℃等温退火时强化相仍能基本保持纤维形态,强度略有下降,电导率略有上升.300℃等温退火时纤维相界面局部迁移,退火初期合金电导率较快上升而强度较快下降,随后电导率上升或强度下降速率变缓.400℃等温退火时组织发生明显再结晶和晶粒粗化,退火初期合金电导率剧烈上升而强度剧烈下降,随时间延长,强度下降趋势变缓而电导率达到最高值后略有下降.可以用纤维组织的回复、再结晶、次生相析出及溶质原子溶解等因素在等温退火过程中的变化来分析材料组织、性能的变化.
2005, 34(9):1465-1468.
摘要:
采用钼-氮离子共渗与离子渗钼后再氮化2种工艺,在钛合金Ti6Al4V表面形成均匀致密的钼氮合金渗层.实验结果表明,2种工艺形成的表面合金层表面硬度都有大幅度提高,其中渗钼后氮化的硬度Hk0.1为16 810 MPa,钼-氮共渗Hk0.1为18 040 MPa.渗钼后氮化合金层主要为MoN相,而钼-氮共渗合金层主要为Mo2N相. 干摩擦条件下,球盘磨损试验表明,渗钼后氮化工艺更好地改进了钛合金Ti6Al4V耐磨性,降低比磨损率3个数量级.
采用钼-氮离子共渗与离子渗钼后再氮化2种工艺,在钛合金Ti6Al4V表面形成均匀致密的钼氮合金渗层.实验结果表明,2种工艺形成的表面合金层表面硬度都有大幅度提高,其中渗钼后氮化的硬度Hk0.1为16 810 MPa,钼-氮共渗Hk0.1为18 040 MPa.渗钼后氮化合金层主要为MoN相,而钼-氮共渗合金层主要为Mo2N相. 干摩擦条件下,球盘磨损试验表明,渗钼后氮化工艺更好地改进了钛合金Ti6Al4V耐磨性,降低比磨损率3个数量级.
2005, 34(9):1469-1472.
摘要:
采用SiC/Si3N4陶瓷先驱体聚硅氮烷连接反应烧结碳化硅陶瓷,研究了连接温度、连接压力、浸渍/裂解增强处理对连接强度的影响.结果表明：在1100℃～1400℃温度范围内,连接强度先升高后降低;连接过程中施加适当的轴向压力可提高连接层致密度;浸渍/裂解增强处理可大幅度提高接头强度.当连接温度为1300℃,连接压力为15kPa，经3次增强处理的连接件抗弯强度达最大值169．1MPa。这种连接件的断口表面粘有大量SiC母材。由XRD研究表明，随着温度的逐步升高，聚硅氮烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变。微观结构及成分分析显示：连接层为厚度2μm-3μm的SiCN无定形陶瓷，其结构较为均匀致密；连接层与基体间界面接合良好。
采用SiC/Si3N4陶瓷先驱体聚硅氮烷连接反应烧结碳化硅陶瓷,研究了连接温度、连接压力、浸渍/裂解增强处理对连接强度的影响.结果表明：在1100℃～1400℃温度范围内,连接强度先升高后降低;连接过程中施加适当的轴向压力可提高连接层致密度;浸渍/裂解增强处理可大幅度提高接头强度.当连接温度为1300℃,连接压力为15kPa，经3次增强处理的连接件抗弯强度达最大值169．1MPa。这种连接件的断口表面粘有大量SiC母材。由XRD研究表明，随着温度的逐步升高，聚硅氮烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变。微观结构及成分分析显示：连接层为厚度2μm-3μm的SiCN无定形陶瓷，其结构较为均匀致密；连接层与基体间界面接合良好。
2005, 34(9):1473-1476.
摘要:
研究了采用悬浮熔炼（常规铸态）和不同冷却速度的单辊快淬方法制备的Mm（NiCoMnAl）5型稀土系贮氢合金负极活性材料对金属氢化物镍（MH/Ni）电池性能的影响.结果表明,采用不同方法制备的合金对整个电池活化后的容量和内阻影响很小,但是常规铸态合金在退火后降低了电池的放电电压平台,快淬合金随着冷凝速率的提高,放电平台呈降低趋势.对循环充放电过程中电池内阻、循环到一定次数时负极贮氢合金的粒度和正极内铝含量的测试结果表明,铸态不退火合金较差的抗粉化性和较差的耐腐蚀性使电池的循环性能较差,经退火后其性能均有所提高,快淬合金使电池的循环性能优于常规铸态合金.
研究了采用悬浮熔炼（常规铸态）和不同冷却速度的单辊快淬方法制备的Mm（NiCoMnAl）5型稀土系贮氢合金负极活性材料对金属氢化物镍（MH/Ni）电池性能的影响.结果表明,采用不同方法制备的合金对整个电池活化后的容量和内阻影响很小,但是常规铸态合金在退火后降低了电池的放电电压平台,快淬合金随着冷凝速率的提高,放电平台呈降低趋势.对循环充放电过程中电池内阻、循环到一定次数时负极贮氢合金的粒度和正极内铝含量的测试结果表明,铸态不退火合金较差的抗粉化性和较差的耐腐蚀性使电池的循环性能较差,经退火后其性能均有所提高,快淬合金使电池的循环性能优于常规铸态合金.
2005, 34(9):1477-1480.
摘要:
利用超临界CO2流体、溶剂和热处理3种方法对ZrO2陶瓷注射成型坯体进行脱脂,并对试样进行了一系列的性能测试.实验结果显示,脱脂方法对陶瓷性能有较大的影响.超临界流体脱脂克服了热脱脂的开裂、变形等各种缺陷,使烧结件获得较好的力学性能,平均抗弯强度σ为1074MPa，Weibull模数m达到18．93，高于利用溶剂脱脂的烧结件（σ=1038．4MPa，m=13．28）和热脱脂烧结件（σ=983．5MPa，m=7．59）。此外，超临界CO2流体脱脂、溶剂脱脂可使陶瓷注射成型脱脂时间大大减少，脱脂过程约缩短到热脱脂的1／20。
利用超临界CO2流体、溶剂和热处理3种方法对ZrO2陶瓷注射成型坯体进行脱脂,并对试样进行了一系列的性能测试.实验结果显示,脱脂方法对陶瓷性能有较大的影响.超临界流体脱脂克服了热脱脂的开裂、变形等各种缺陷,使烧结件获得较好的力学性能,平均抗弯强度σ为1074MPa，Weibull模数m达到18．93，高于利用溶剂脱脂的烧结件（σ=1038．4MPa，m=13．28）和热脱脂烧结件（σ=983．5MPa，m=7．59）。此外，超临界CO2流体脱脂、溶剂脱脂可使陶瓷注射成型脱脂时间大大减少，脱脂过程约缩短到热脱脂的1／20。
2005, 34(9):1481-1484.
摘要:
采用纯度分别为99.94%和99.2%的稀土金属Gd,配制了Gd5Si1.9Ge2.1和Gd5Si1.72Ge2.28两组合金,研究杂质对Gd5（SixGe1-x）4合金磁熵变的影响原因。粉末衍射结构分析表明，所研究的合金中都有Gd5Si2Ge2相，而采用低纯Gd配制的Gd5（SixGe1-x）4合金中还出现了明显的Gd5（Si，Ge）3相。磁性测量表明，杂质不改变合金中主相的居里温度，即没有改变合金中主相磁性原了的相互作用，但由于低温反铁磁性Gd5（Si，Ge）3相对室温Gd5Si2Ge2相的磁熵变没有贡献，导致Gd5（Si，Ge1-x）4合金在室温附近的磁熵变下降。
采用纯度分别为99.94%和99.2%的稀土金属Gd,配制了Gd5Si1.9Ge2.1和Gd5Si1.72Ge2.28两组合金,研究杂质对Gd5（SixGe1-x）4合金磁熵变的影响原因。粉末衍射结构分析表明，所研究的合金中都有Gd5Si2Ge2相，而采用低纯Gd配制的Gd5（SixGe1-x）4合金中还出现了明显的Gd5（Si，Ge）3相。磁性测量表明，杂质不改变合金中主相的居里温度，即没有改变合金中主相磁性原了的相互作用，但由于低温反铁磁性Gd5（Si，Ge）3相对室温Gd5Si2Ge2相的磁熵变没有贡献，导致Gd5（Si，Ge1-x）4合金在室温附近的磁熵变下降。
2005, 34(9):1485-1488.
摘要:
采用中性盐雾、周期浸润等人工加速腐蚀试验和电化学测试方法,研究了Al-6Mg-Zr和Al-6Mg-Zr-Sc 2种铝合金在模拟海水环境中的腐蚀行为.结果发现：在试验环境中2种铝合金都发生了点蚀;添加了Sc元素的Al-6Mg-Zr-Sc合金比Al-6Mg-Zr合金表现出更好的耐蚀性.自腐蚀电位和动电位阳极极化曲线研究也发现,添加Sc元素后铝合金的耐蚀性能增强.SEM/EDX分析表明,Al-6Mg-Zr-Sc合金中存在的Al3（Sc, Zr）复合相能细化晶粒、有效地抑制Al-6Mg-Zr合金中β相（Mg5Al8）的析出,使β相在合金基体中呈不连续分布,从而降低了合金的腐蚀敏感性.
采用中性盐雾、周期浸润等人工加速腐蚀试验和电化学测试方法,研究了Al-6Mg-Zr和Al-6Mg-Zr-Sc 2种铝合金在模拟海水环境中的腐蚀行为.结果发现：在试验环境中2种铝合金都发生了点蚀;添加了Sc元素的Al-6Mg-Zr-Sc合金比Al-6Mg-Zr合金表现出更好的耐蚀性.自腐蚀电位和动电位阳极极化曲线研究也发现,添加Sc元素后铝合金的耐蚀性能增强.SEM/EDX分析表明,Al-6Mg-Zr-Sc合金中存在的Al3（Sc, Zr）复合相能细化晶粒、有效地抑制Al-6Mg-Zr合金中β相（Mg5Al8）的析出,使β相在合金基体中呈不连续分布,从而降低了合金的腐蚀敏感性.
2005, 34(9):1489-1492.
摘要:
通过碱热处理工艺对碳/碳复合材料表面阴极声电沉积的磷酸钙生物陶瓷涂层进行处理,使其转变为磷灰石涂层,采用SEM,EDAX,FTIR,XRD等研究了涂层组成、结构和形貌的变化,并采用拉伸测试评价了涂层与基体的结合力,用SEM观察了涂层的断口形貌.结果表明：用声电沉积技术获得的片状透钙磷石涂层经碱热处理后而得到磷灰石涂层,涂层与基体形成了化学键合,且结合紧密,涂层的形貌没有显著变化,但涂层的致密度有所增加;拉伸测试表明涂层与基体的结合强度最大可达4.2 MPa 以上,涂层的失效部位主要在涂层内部,其失效方式为涂层的内聚破坏和界面脱粘.
通过碱热处理工艺对碳/碳复合材料表面阴极声电沉积的磷酸钙生物陶瓷涂层进行处理,使其转变为磷灰石涂层,采用SEM,EDAX,FTIR,XRD等研究了涂层组成、结构和形貌的变化,并采用拉伸测试评价了涂层与基体的结合力,用SEM观察了涂层的断口形貌.结果表明：用声电沉积技术获得的片状透钙磷石涂层经碱热处理后而得到磷灰石涂层,涂层与基体形成了化学键合,且结合紧密,涂层的形貌没有显著变化,但涂层的致密度有所增加;拉伸测试表明涂层与基体的结合强度最大可达4.2 MPa 以上,涂层的失效部位主要在涂层内部,其失效方式为涂层的内聚破坏和界面脱粘.
2005, 34(9):1493-1496.
摘要:
研究了铸造镁合金等径角挤压（ECAP）的原理与技术实施手段.通过设计ECAP模具的几何结构,研究了剪切应变累积效应的度量方法.通过对AM60镁合金铸锭单道次ECAP加工后光学显微组织的观察,讨论了模具几何结构条件（转角与背转角大小）对变形组织演化形态的影响.根据多道次ECAP试验的位移-挤压力关系曲线,考察了加工工艺条件（加工道次数、背压与加工速率）对变形组织形态的影响规律.分析了镁合金ECAP加工技术的试验和模拟方案.研究表明：AM60镁合金铸锭的ECAP变形组织形态较好地符合理论预测结果;多道次ECAP加工显著改善了AM60镁铸锭的微观组织;对于具有粗大晶粒的铸造镁合金而言,ECAP工艺能以机械化冶金方式制备其超细晶结构.
研究了铸造镁合金等径角挤压（ECAP）的原理与技术实施手段.通过设计ECAP模具的几何结构,研究了剪切应变累积效应的度量方法.通过对AM60镁合金铸锭单道次ECAP加工后光学显微组织的观察,讨论了模具几何结构条件（转角与背转角大小）对变形组织演化形态的影响.根据多道次ECAP试验的位移-挤压力关系曲线,考察了加工工艺条件（加工道次数、背压与加工速率）对变形组织形态的影响规律.分析了镁合金ECAP加工技术的试验和模拟方案.研究表明：AM60镁合金铸锭的ECAP变形组织形态较好地符合理论预测结果;多道次ECAP加工显著改善了AM60镁铸锭的微观组织;对于具有粗大晶粒的铸造镁合金而言,ECAP工艺能以机械化冶金方式制备其超细晶结构.
2005, 34(9):1497-1499.
摘要:
研究了包套锻造对大尺寸高铌TiAl合金室温塑性的影响.结果表明,经过多步包套锻造后,合金室温塑性大大改善,延伸率可达2.29%.这主要归于：多步包套锻造有效地破碎了粗大的铸态组织以及在锻造过程发生了动态再结晶,这样不仅使合金平均晶粒尺寸降低,而且使合金晶粒分布均匀化,得到均匀细小的双态组织.此外,高铌TiAl合金经多步锻造后,有效消除了晶界偏析的脆性β相,从而使合金的室温塑性得到改善.
研究了包套锻造对大尺寸高铌TiAl合金室温塑性的影响.结果表明,经过多步包套锻造后,合金室温塑性大大改善,延伸率可达2.29%.这主要归于：多步包套锻造有效地破碎了粗大的铸态组织以及在锻造过程发生了动态再结晶,这样不仅使合金平均晶粒尺寸降低,而且使合金晶粒分布均匀化,得到均匀细小的双态组织.此外,高铌TiAl合金经多步锻造后,有效消除了晶界偏析的脆性β相,从而使合金的室温塑性得到改善.
2005, 34(9):1500-1504.
摘要:
系统研究了TiV2.1Nix（x=0．2，0．3，0．4，0．5，0．6）贮氢合金的相结构及电化学性能。XRD及SEM分析表明：合金均由体心立方（bcc）结构的V基固溶体主相和TiNi基第二相组成；随着Ni含量x的增加，合金中V基固溶体主相的相含量和品胞参数逐渐减小，TiNi基第二相含量逐渐增多，且当x≥0．4时，TiNi基第二相组织沿主相晶界形成明显的三维网络状结构。电化学测试表明：随着x的增加，合金的高倍率放电性能及循环稳定性均得到显著改善；但当x从0．4增加到0．6时，合金的活化性能变差，最大放电容量降低。在研究的合金中，TiV2.1Ni0.4表现出较好的综合性能。
系统研究了TiV2.1Nix（x=0．2，0．3，0．4，0．5，0．6）贮氢合金的相结构及电化学性能。XRD及SEM分析表明：合金均由体心立方（bcc）结构的V基固溶体主相和TiNi基第二相组成；随着Ni含量x的增加，合金中V基固溶体主相的相含量和品胞参数逐渐减小，TiNi基第二相含量逐渐增多，且当x≥0．4时，TiNi基第二相组织沿主相晶界形成明显的三维网络状结构。电化学测试表明：随着x的增加，合金的高倍率放电性能及循环稳定性均得到显著改善；但当x从0．4增加到0．6时，合金的活化性能变差，最大放电容量降低。在研究的合金中，TiV2.1Ni0.4表现出较好的综合性能。
2005, 34(9):1505-1508.
摘要:
采用低温燃烧合成工艺在甘氨酸-硝酸盐体系中制备出Ce0.8Nd0.2O1.9固溶体纳米粉末,重点考察了甘氨酸与硝酸盐的配比（G/N）以及焙烧温度对粉末特性的影响.通过热重-差示扫描量热分析（TG-DSC）得知,燃烧反应的点火温度为257℃.利用X射线衍射（XRD）、透射电镜（TEM）、比表面积仪（BET）及傅里叶红外光谱（FTIR）等手段对粉末的结构、形貌、成分、尺寸及比表面积进行了分析.结果表明：燃烧反应后直接得到萤石型结构的单相固溶体,晶粒尺寸为8nm-12nm之间，比表向积为38m^2/g～47m^2／g；晶粒尺寸随焙烧温度升高而增加，在800℃下焙烧1h后，可以去除反应残留物质，并使获得的品形更加完整。
采用低温燃烧合成工艺在甘氨酸-硝酸盐体系中制备出Ce0.8Nd0.2O1.9固溶体纳米粉末,重点考察了甘氨酸与硝酸盐的配比（G/N）以及焙烧温度对粉末特性的影响.通过热重-差示扫描量热分析（TG-DSC）得知,燃烧反应的点火温度为257℃.利用X射线衍射（XRD）、透射电镜（TEM）、比表面积仪（BET）及傅里叶红外光谱（FTIR）等手段对粉末的结构、形貌、成分、尺寸及比表面积进行了分析.结果表明：燃烧反应后直接得到萤石型结构的单相固溶体,晶粒尺寸为8nm-12nm之间，比表向积为38m^2/g～47m^2／g；晶粒尺寸随焙烧温度升高而增加，在800℃下焙烧1h后，可以去除反应残留物质，并使获得的品形更加完整。
2005, 34(9):1509-1512.
摘要:
采用磁控溅射方法制备FePt（50nm）和[FePt（2nm，3nm，5nm）／C（1nm）]。膜，并在550℃退火30min，研究了周期数（n）对FePt／C系列多层膜结构及磁学性能的影响。结果表明：退火后多层膜的矫顽力在总膜层厚度约为30nm时出现最大值；随着n的增大，多层膜的饱和磁化强度和晶粒尺寸均不断增大；C的加入可以有效降低晶粒间交换耦合作用。刚此可以通过控制周期数得到县仃合适的微观结构和高的磁学性能的FePt／C多层膜，从而满足超高密度磁记录介质的要求。
采用磁控溅射方法制备FePt（50nm）和[FePt（2nm，3nm，5nm）／C（1nm）]。膜，并在550℃退火30min，研究了周期数（n）对FePt／C系列多层膜结构及磁学性能的影响。结果表明：退火后多层膜的矫顽力在总膜层厚度约为30nm时出现最大值；随着n的增大，多层膜的饱和磁化强度和晶粒尺寸均不断增大；C的加入可以有效降低晶粒间交换耦合作用。刚此可以通过控制周期数得到县仃合适的微观结构和高的磁学性能的FePt／C多层膜，从而满足超高密度磁记录介质的要求。
