2009, 38(4):705-708.
摘要:采用粉末冶金与中频感应炉重熔相结合的方法制备Ni-5at%W合金锭,经旋锻和拉拔成为丝材,再冷轧为70 μm厚带材。随后,在800~1300 ℃区间进行0~3 h再结晶退火处理。采用X射线衍射和电子背散射衍射对基带织构进行评估,同时也对基带硬度进行了表征。实验发现,Ni-5 at%W合金基带几乎在800 ℃就已完成初始再结晶过程;在980 ℃退火时,立方织构体积分数随时间的延长(1~3 h)没有发生明显变化;在1100,1300 ℃退火后形成了锐利的立方织构,偏离{001}<100> 8°范围内的晶粒表面积占总晶粒表面积的分数分别为93%,99.8%。在1300 ℃以下温区退火时,基带组织均匀,没有出现晶粒异常长大现象,立方织构具有良好的高温稳定性。当退火温度达1400 ℃时,出现晶粒异常长大现象并伴有其它织构成分出现。
2004, 33(8):793-796.
摘要:为了提高Bi-2212/Ag带的性能(主要指临界电流密度Jc),进行了部分熔化热处理工艺对带材Jc的实验。采用标准的4点法测量Jc,使用PW1700XRD,SL20 SEM 和EDX检验和研究带材的相组成和微观组织。实验表明,在流氧气氛下,烧结温度为860℃~880℃时,前驱粉末以Bi-2212为主相,同时含有少量的Bi-2201相,(Sr2Ca)Cu2O3相和富(Bi2Sr)相。在流氧气氛下,带材Jc性能对热处理工艺参数非常敏感,在实验条件范围内,优化后的热处理工艺参数为:熔化温度Tmax=890℃,熔化时间tmax=10min,冷却速率Rc=2℃h^-1,在保温温度为835℃时,保温时间ta=20h,通过优化的部分熔化热处理工艺,在77K,0T下最后所制得带材的最大Jc=6A,Jc=890Acm^-2.
:935-940.
摘要:目前,低成本、高性能的YBa2Cu3O7-x涂层导体制备技术已成为国际实用化高温超导材料的研究重点。由于金属基带的特性(织构、表面粗糙度等)直接决定了阻隔层的特性,进而影响到YBCO层的超导性能。因此,制备高质量的金属基带是涂层导体制备技术的关键核心技术之一。本研究对金属基带的性能、选材、制备技术以及国内外的研究状况给予了较系统的总结和评述,并对其发展和应用前景进行了一些探讨
2004, 33(9):984-987.
摘要:通过部分熔化处理工艺和普通两段热处理工艺的对比研究,分析了部分熔化处理工艺在不同热处理阶段对(Bi,Pb)-2223/Ag带材相组成和微结构的影响。实验结果显示,在熔化温度下,部分(Bi,Pb)-2212相发生分解,分解为(Sr,Ca)2CuO3相、(Sr,Ca)Cu2O3相和富(Bi,Pb)液相,与此同时(Sr,Ca)2CuO3相和(Sr,Ca)Cu2O3相快速长大。随着冷却和成相处理,(Sr,Ca)2CuO3相和(Sr,Ca)Cu2O3相长大到一定尺寸,各相系统达到平衡后,就不再长大,并和部分液相反应,重新生成具有良好取向的(Bi,Pb)-2212相。在成相处理阶段,(Bi,Pb)-2212相转化为(Bi,Pb)-2223相,同时生成的(Bi,Pb)-2223相继承了(Bi,Pb)-2212相的良好取向,使(Bi,Pb)-2223相织构得以改善,致密度得到提高,结果最终带材的性能得到提高。通过部分熔化处理工艺处理的带材Ic达到51A,而普通两段热处理工艺处理的带材Ic为36A,Ic提高了约40%。
2004, 33(9):996-999.
摘要:采用PMP工艺在空气中成功制备了Ф17mm的单畴Gd-Ba-Cu-O超导体。利用Gd2O3代替Gd211的添加,同样可以提高Gd-Ba-Cu-O的超导性能,并且可以降低样品的制备成本。但过量的Gd2O3的添加会造成Gd-Ba-Cu-O超导体中Gd-Ba固溶体的增加,从而降低样品的超导性能。本实验中Gd2O3的最佳添加量为0.15mol,制备的样品捕获磁通达到0.36T(77K)。
2012, 41(6):1075-1079.
摘要:采用硫酸溶液作为抛光液对轧制辅助双轴织构技术制备的Ni5W合金基带进行电化学抛光,在不同的抛光液浓度下获得了表面状态不同的基带。利用X射线光电子能谱 (XPS)、X射线衍射 (XRD)、扫描电镜 (SEM) 等手段研究了抛光过程中表面物质相成分及成因。结果表明:抛光液浓度较低时基带表面会形成过量的氧化物和H2WO4,造成表面选择性溶解过程紊乱,导致无法抛光。通过优化抛光液浓度可在基带表面获得适当厚度的固体层和粘液层,电流通过时可获得良好的抛光效果
2013, 42(6):1274-1277.
摘要:通过采用化学溶液沉积制备超导薄膜研究低温热解和高温晶化之间附加热处理过程,并比较这一过程对超导层成相、织构以及性能的影响。研究发现,中间热处理过程对超导层的织构有一定影响,合适的附加热处理过程有利于改善晶粒生长取向。当中间热处理温度为400 ℃时,超导层性能最佳(Jc=2.4 MA/cm2)。
2010, 39(10):1781-1784.
摘要:顶部籽晶生长工艺是一种非常有效地制备REBaCuO大单畴超导块材的方法。对于具有较高熔点的SmBaCuO体系,选择合适的籽晶成为制备单畴样品的关键因素之一。本实验以NdBaCuO为基体,通过添加不同含量(0.2%,0.5%,1%,2%,5%,10%,质量分数)的MgO粉末,制备6种自发形核生长的多畴Nd-Ba-Cu-Mg-O块材样品,然后分别选用MgO含量为1%和10%的NdBaCuO为籽晶成功引导生长了近单畴的SmBaCuO块材。利用DTA、XRD和OM技术分析不同MgO添加量对NdBaCuO前驱粉末熔化温度的影响、MgO粉末在NdBaCuO基体中的饱和添加量以及Nd-Ba-Cu-Mg-O籽晶的特性。结果表明:在NdBaCuO中添加MgO粉末可以显著提高基体的融化温度;MgO粉末在NdBaCuO中的饱和添加量约为1%;在1%至10%的MgO添加范围内不会改变Nd-123的晶格类型
2013, 42(9):1953-1956.
摘要:对采用化学溶液沉积技术动态热处理制备La2Zr2O7(LZO)缓冲层进行了研究。结果显示,制备长样品时,侧向进气更有利于驱散热解气体,降低样品织构的不均匀性。当侧向进气方向与样品表面法线方向夹角较小时,更有利于提高LZO缓冲层的织构特性。LZO缓冲层的织构和表面形貌受样品移动速度影响的主要原因是样品移动速度的变化直接改变了样品的热处理时间。优化动态热处理过程后制备出的LZO缓冲层表面致密,LZO缓冲层具有锐利的立方织构,织构锐利度与金属基带织构相当
2022, 51(1):92-97.DOI: 10.12442/j.issn.1002-185X.20200845
摘要:采用喷雾热解和共沉淀工艺分别制备了Bi2Sr2CaCu2O8+δ (Bi-2212)前驱粉末,研究了Bi-2212前驱粉的中间相演化过程。与共沉淀工艺相比较,喷雾热解工艺提高了前驱粉末中Bi-2212晶粒的相转变效率;而且喷雾热解后粉末中残留的硝酸盐对Bi-2212晶粒的生长影响较小,共沉淀后粉末中残留碳酸盐会阻碍Bi-2212晶粒的形成。采用喷雾热解法制备的Bi-2212线材的性能与采用传统共沉淀工艺法制备的线材性能相近,但喷雾热解工艺的制备效率更高。因此,采用喷雾热解制备前驱粉末有助于实现Bi-2212线材的大规模生产。