摘要:研究了不同上限温度对DZ951合金热疲劳性能的影响.结果表明:随着上限温度的升高,热疲劳裂纹扩展速率增加,合金的热疲劳抗力降低.DZ951合金经热处理后,热疲劳性能提高.合金主要通过氧化产生孔洞,孔洞相互连接使热疲劳裂纹萌生和扩展.合金热疲劳裂纹扩展具有一定的晶体学取向,沿{111}面〈110〉方向即与枝晶生长方向呈45°角扩展.

摘要:本文利用分子动力学方法，对含有预置微裂纹α-Ti模型施加不同方向拉伸载荷，通过观察模型内孔洞及位错的变化情况，揭示了孔洞生长的机制与初始缺陷对材料吸收能量在不同划分区域的规律。研究发现：当拉伸载荷沿着垂直于密排面的[0001]方向时，预置裂纹愈合，α-Ti会从HCP晶格转换为FCC晶格，从而使晶体中的位错种类更多、密度更大、能量吸收率更高；当拉伸载荷沿着[12-30]方向拉伸时，位错种类主要为1/3[1-210]类型，裂纹则生长为一定尺寸的孔洞，孔洞与滑移带对模型体系吸收能量区域有划分作用，转换的晶格主要为非晶结构，滑移带方向取决于材料晶格，位置取决于初始裂纹；α-Ti沿[0001]晶向拉伸后模型明显颈缩，裂纹缺陷空位被两侧团簇占据，α-Ti沿[0001]晶向拉伸比沿[12-30]方向拉伸时拥有更好的塑性和延展性。

摘要:介绍了可见光响应型TiO2光催化剂的研究现状，对近年来国内外改性纳米TiO2光敏剂敏化、稀土离子掺杂、过渡金属离子掺杂、阴离子掺杂、半导体复合和上转换发光材料复合等改性方法进行了阐述，并对这些方法的原理进行了解释和说明，预测了今后的研究方向。

摘要:介绍了长余辉材料的类型(主要为硫化物型、碱土铝酸盐型及其它基质型余辉发光材料)及发展历史,总结了其研究现状与发光机制,概括了常规制备方法,指出了长余辉发光材料存在的问题和今后研究与应用的方向.

摘要:近几年,PZT铁电存储器的商业应用受到了广泛关注,但PZT电容器的疲劳现象已成为其应用的严重障碍,变换电极是改善PZT电容器抗疲劳特性的有效方法.系统地介绍了PZT铁电薄膜用电极材料的结构、性能及其特点,比较了不同电极材料对PZT铁电薄膜结构及铁电性能的影响,并对导电金属氧化物电极改善抗疲劳特性的机制进行了一定的分析,提出了电极材料的主要问题和发展方向.

摘要:基于三元体系的微观相场动力学模型,从原子层次上模拟了Ni-11at%Al-7at%Cr合金在873 K预时效,1023 K再时效的组织演化过程,结合原子图像,计算了有序相内序参数分布和体积分数随时间的变化,并与1023 K下的单级时效工艺进行了对比.研究结果表明:两种工艺条件下. 均析出单一的LI2结构有序相,分级时效的沉淀机制为非经典形核长大与失稳分解的混合机制;单级时效的沉淀机制为失稳分解机制:分级时效获得的沉淀相呈45°方向倾斜排列的弥散颗粒状,单级时效获得的沉淀相呈45°方向倾斜的条纹状;分级时效工艺下孕育期缩短,达到平衡时,二者的体积分数相等.

摘要:从第一原理角度,用基于密度泛函理论(DFT)的全电势线性缀加平面波法(FLAPW)和广义梯度近似(GGA),计算了掺Sn锐钛矿相 TiO2的晶格优化结构和电子结构.结果表明:掺Sn以后晶胞体积明显增大,在z方向有伸长的趋势;掺Sn锐钛矿相TiO2典型晶面的电子密度分布与纯的锐钛矿相TiO2的比较表明,掺杂后的Sn-O键比原来的Ti-O键强;掺Sn锐钛矿相TiO2的能带结构图表明,掺杂后仍为间接带隙的半导体,与未掺杂时比较,能隙减小了0.24 eV,与实验趋势相符.

摘要:研究立式离心场下不同铸造工艺参数对钛合金熔体的充填及凝固缺陷形成的影响。结果显示，立式离心场下得到的钛合金铸件质量优于重力场下的铸件。立式离心场下，合金熔体由于受离心力和科氏力的作用，沿着与旋转方向相对的型壁进行充填，且熔体的截面面积随充填长度的增加而逐渐减小，但是在内浇口处由于速度降低导致截面面积有所回升。此外，铸型的旋转方向，旋转半径及旋转速度直接影响铸件缺陷的形成。旋转方向直接影响合金熔体的充填顺序，进而影响合金熔体的凝固顺序及缺陷位置。实验结果显示，旋转半径及旋转速度的增加有利于减少铸件的缺陷体积。

摘要:采用表面机械研磨(SMAT)技术在AZ91D镁合金上制备出纳米晶结构表层,利用X射线衍射(XRD)仪、透射电子显微镜(TEM)及高分辨透射电子显微镜(HRTEM)研究由表层沿厚度方向的组织结构变化特征.结果表明:经过表面机械研磨处理, 样品表层形成了厚度约为40 μm的变形层, 平均晶粒尺寸由约40 nm逐渐增加到约200 nm.

摘要:利用喷射成形技术制备了Al-Zn-Mg-Cu合金.采用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)等方法研究了喷射成形Al-Zn-Mg-Cu合金的沉积坯件经挤压热加工处理、固溶及时效热处理后微观组织的演变规律.结果表明,喷射成形Al-Zn-Mg-Cu合金的沉积坯件主要由大小为20～30 μm的等轴晶组成,晶界第二相粗大呈不连续状分布;沉积态合金经挤压处理后,晶粒沿挤压方向拉长,晶界第二相发生碎化;挤压态合金经过固溶处理后绝大部分第二相发生回溶;峰时效处理(120 ℃, 16 h)后析出两种共格强化相,此时的强化机制是GPI区和GPII区的综合强化.